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结型场效应区注入相关论文
200V高压大电流VDMOS的研制
介绍了自主研制的200 V/40 A VDMOS晶体管的设计优化过程及研制结果。该器件采用JFET注入和浅P-body方法降低导通电阻,提高电流密......
期刊
垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管
大电流
导通电阻
结型场效应区注入
静电防护
VDMOS large current on-resistance JFET i
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