导通电阻相关论文
碳化硅（Si C）宽禁带半导体材料是目前电力电子领域发展最快的半导体材料之一。绝缘栅双极晶体管（IGBT）是全控型的复合器件，具有工作频率......
本文基于仿真和实验方法，开展了100VN 沟槽MOSFET的设计研究工作。通过沟槽深度，体区注入剂量和栅氧化层厚度拉偏，获得了对击穿电压，阈......
为了增加光吸收效率,设计制作了一种具有发射和透射膜层结构的新型GaAs光导开关。在1064nm激光触发能量5.4mJ,光脉宽25ns、偏置电......
功率半导体器件是电力电子的核心和基础。沟槽功率MOSFET采用了纵向布局,较其他MOSFET器件具有更低的导通电阻的特点,工作中的开关......
功率半导体器件作为电子设备系统的核心部件,已广泛渗透到消费、医疗、工业、运输、航天等领域,在人类日常生活及经济发展中扮演着......
SiC材料具有宽的禁带宽度、高的临界击穿电场强度、高的饱和电子漂移速度以及高的热导率等突出特点,使其与Si材料相比,在高温、高......
随着电子器件的发展,高压大功率MOS器件被广泛应用于相关电路设计中。而众多器件中,以高压横向双扩散金属氧化物半导体管（Lateral D......
AlGaN/GaN异质结场效应晶体管（AlGaN/GaN HFET）具有高击穿电压,高电子迁移率和低导通电阻等优越特性,已经成为国内外研究的热点。然......
0.18μm BCD工艺主要用在小尺寸的直流/直流和交流/直流转换等领域,是目前应用于消费电子以及汽车电子等领域主流的BCD工艺之一,具......
1200V横向双扩散金属氧化物半导体场效应管（Lateral Double-Diffused Metal Oxide Semiconductor,LDMOS）可应用于高压电机驱动和高压......
火工品是引爆控制系统的重要部件。在火工品的日常维护过程中,对火工品的性能参数测试一直是必不可少的内容,其中导通电阻和绝缘电......
SiC超结MOSFET设计基于N/P柱的电荷补偿效应，在保证耐压的同时具有较低的导通损耗和更快的开关速度，因此对SiC超结MOSFET可靠性的分......
目的 研究实验室模拟海洋环境下,机载设备舱内印制电路板的腐蚀损伤行为和规律.方法 基于实测的某型机机载设备舱海洋环境数据,编......
高压LDMOS（Lateral Double-diffused MOSFET）具有高耐压、高频率、工艺简单兼容于传统CMOS工艺等特性，广泛应用于高压集成电路（High Vo......
目前碳化硅(SiC)被广泛视为下一代功率器件的材料,因为它比硅的电压更高,损耗更低。然而,虽然碳化硅器件具有很大的发展前景,但该......
摘要：SiC功率管器件广泛应用在航空领域的电能变换、配电等场合，其健康状况十分重要。在SiC器件的健康监测应用中，导通电阻的检测是一......
本文通过外延区为均匀掺杂的ＶＤＭＯＳ穿通击穿条件和外延区比导通电阻Ｒｏｎ的理论分析，首次得到了Ｒｏｎ随外延区参数、击穿电压变化的简捷普遍关系式．在......
对集成化平面电感的串联电阻对电感 Q值的影响进行了计算机模拟分析 ,结果表明 ,微型电感中的串联电阻对电感 Q值的影响严重 ,在电......
近几年来,由于汽车电子系统和高效率DC/DC转换器对大功率MOSFET提出了更多、更高的要求,在低压MOSFET的优化设计方面己经取得了很......
目前,功率器件正朝着集成化、智能化和模块化的方向发展。智能功率器件为机电一体化设备中弱电与强电的连接提供了理想的接口。介......
在6月19日的中国国际电源展览会上,英飞凌科技股份公司同时推出具备适用于高能效电源转换产品的OptiMOS~(TM)3 75V MOSFET系列和下......
2013年9月5日讯:Vishay Intertechnology,Inc.(VSH)宣布,扩充其采用超小PowerPAK SC-70封装的TrenchFET Gen III P沟道功率MOSFET......
为了获得4H-SiC横向BJT器件高耐压下的高电流增益,文中通过降低漂移区的掺杂浓度(NDRI),使得漂移区内靠近基极方向的电场强度降低,......
德州仪器(TI)宣布推出14款采用TO-220及SON封装的功率MOSFET,其支持40 V至100 V输入电压,进一步壮大了TI普及型NexFET产品阵营。高......
以色列VisIC Technologies Ltd of Rehovot公司成立于2010年,是一家无生产线的功率转换器件研发机构,主要技术支撑是氮化镓金属绝......
德州仪器(TI)推出其NexFET产品线11款新型N沟道功率MOSFET,其中包括具有业界最低导通电阻并采用QFN封装的25-V CSD16570Q5B和30-V ......
该文报道具有最小比导通电阻的~1.7 k V 4H-SiC结势垒肖特基二极管。首先通过数值仿真对结势垒肖特基(junction barrier Schottky,......
德州仪器(TI)近日推出新型60V N通道功率FemtoFET功率晶体管,电阻实现业内最低,比传统60V负载开关低90%,同时,使终端系统功耗得以......
VISIC科技公司是一家氮化镓功率半导体器件的研发公司,近日该公司表示最新研发的650V阻断电压的全开关产品具有导通电阻最低可达15......
意法半导体推出了采用先进的PowerFLATTM 5×6双面散热(DSC)封装的MOSFET晶体管,新产品可提高汽车系统电控单元(ECU)的功率密度,已......
过去几年来,碳化硅(SiC)型功率半导体解决方案的使用情形大幅成长,成为各界仰赖的革命性发展。推动此项市场发展的力量包括下列趋......
研究了源漏整体刻蚀欧姆接触结构对AlGaN/G N高电子迁移率晶体管(HEMT)的欧姆接触电阻和金属电极表面形貌的影响。利用传输线模型(......
针对传统建模方法较复杂的问题,提出一种碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)行为建模的方法。用一组简单方程描述了......
基于数值仿真结果,采用结势垒肖特基(JBS)结构和多重场限环终端结构实现了3 300 V/50 A 4H-Si C肖特基二极管(SBD),所用4H-Si C外......
由于硅材料本身的限制,传统硅电力电子器件性能已经接近其极限,碳化硅(SiC)器件的高功率、高效率、耐高温、抗辐照等优势逐渐突显,......
日本三菱电子公司研发出碳化硅(SiC)MOSFET新结构,在因短路而出现过流时,不再需要高速保护电路来阻断电压,更好满足高能效、小尺寸......
首先,介绍了模拟开关的应用范围、分类,失效率的浴盆曲线规律和集成电路测试的重要性;其次,详细地介绍了集成电路模拟开关直流参数......
随着电子电力系统的发展,对半导体电子器件在高温、高压、高频和强辐射环境下的性能也提出了更高的要求。碳化硅材料因其禁带宽度......
氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料（也称宽禁带半导体材料）,其禁带宽度、电子迁移速度、击穿电场和工作温度等皆远大于硅（Si）与砷化镓（Ga A......
功率器件作为功率变流器的核心部件,在电力系统、新能源发电系统、航空航天等领域得到了广泛的应用。但在服役过程中功率器件长期......
作为电力电子的核心元件,功率半导体器件一直应用在电力设备的电路控制或电能变换,亦是强电运行和其弱电控制之间的沟通桥梁,主要......
学位
为了适应电力电子和电源管理等电路系统日益增长的功率密度、工作频率、高温适应能力、开关速度和电压应用范围需求,具有高耐压、......
为了研究漏极偏压变化对P-GaN器件可靠性的影响,文中对P-GaN商用器件进行漏极应力测试。通过改变漏极应力偏置电压和偏置时间,观察......
