缩放模型相关论文
为了实现建立准确的氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN high electron mobility transistor,GaN HEMT)大信号模型的目的,提出了一种基......
以内光路系统的原始模型和缩放模型为研究平台,结合热传导方程、热弹性运动方程以及光场的角谱衍射理论,对两个模型中热变形像差及......
氮化镓(GaN)高电子迁移率(High Electron Mobility Transistor,HEMT)晶体管具有工作频率高、输出功率密度大、功率效率高等特点,已......
为了满足通讯系统日益增长的性能指标,亟需研发更加强大的微波功率器件。用GaN材料制作的高电子迁移率晶体管(HEMT),因其高频率、......
毫米波GaN HEMT大信号热电缩放模型对功率放大器设计有着重要意义,本文基于Angelov大信号模型,通过对漏源电流和非线性电容特性参......
氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)以其高频、大功率、高效率等特性优势,成为近年来国内外半导体器件方面研究的热点。GaN HEMT......
