自热效应相关论文
射频通信的发展对收发系统提出了更加严苛的指标要求,随着5G技术在通信领域的商用,针对5G频段庞大的芯片市场,5G芯片的研究具有重......
GaN基高电子迁移率晶体管（HEMT）凭借其大功率、耐高压的特点,近年来被广泛应用于5G技术、新能源汽车、无人机等新兴产业。但是由于HE......
近年来,GaN高电子迁移率晶体管（GaN HEMT,GaN High Electron Mobility Transistor）已被广泛地应用于各大新兴半导体发展领域,如快速......
近三十年来,半导体技术的发展遵循着摩尔定律,即器件特征尺寸大概每两年缩短一半。尺寸微缩造成有源器件面临着严峻的自热效应,会......
复合固体推进剂在航天和兵器领域的应用越来越广泛,经常受到不同形式的动态载荷,其中较重要的有冲击载荷和循环载荷。复合推进剂在......
研究了氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)的温度特性,分析了自热效应造成GaN HEMT的电流崩塌现象.提出了一种图形化衬底技术来降......
针对氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)器件自热效应以及电流崩塌效应导致器件性能退化和失效的问题,研究了通过合理改变器件参......
变流器是光伏发电系统的核心组件,也是最脆弱的组件。近年来,随着光伏发电成本的不断降低,太阳能并网发电系统的总装机容量也显著......
拥有3D结构的FinFET不仅本身具有较低的阈值斜率,同时,还有可以加强栅极电压控制、减少短通道效应、提高能量效率、降低栅极延迟等......
β-Ga_2O_3作为一种新型宽禁带半导体材料,因其～4.8 e V的禁带宽度、高达8MV/cm的击穿场强、稳定的物理化学特性,成为了Si C、Ga N......
红外遥感技术对地表温度获取的具有高时效、高精度的优势,故而被广泛应用于气候变化、天气预报、环境监测等领域。然而随着数值天......
为了研究自热效应对标准铂电阻温度计测量结果的影响,分别从定点法和比较法两方面开展研究.针对定点法,统计中国计量科学研究院近3......
扫描隧道显微镜（STM）于20世纪80年代问世以来，先后出现了一系列测量分辨率可达原子量级的检测技术和测量仪器，随着纳米科技的不断发展，......
作为第三代半导体材料,氮化镓(GaN)由于具备高击穿电压、热导率和电子饱和漂移速度等杰出特点,使得其器件在高温及大功率方面具有......
随着功率集成南路的集成度不断提高，器件的热失效问题日益严重，考衡器件可靠性的安全工作区已经成为优化器件设计的一个非常重要的因......
集成电路实际是由相互耦合的电学子系统和热学子系统共同组成.本文基于具体的封装结构提出集成电路的热学分析模型,分析了温度对集......
对铂电阻温度计在冰水混合物和真空中的自热效应进行了实验研究,提出应用多电流法修正自热效应引起的测量误差.与传统的二电流法和......
提出了一种埋空隙PSOI(APSOI)RESURF器件结构,此结构利用空隙相对低的介电系数,在器件纵向突破了传统SiO2埋层的耐压关系,提高了击......
在激光测距系统中,为了消除温度对半导体激光器调制特性及雪崩光电二极管接收性能的影响,使系统更加稳定地工作,温度控制系统的设......
建立了包含“自热效应”的A lG aN/G aN HEM T(高电子迁移率晶体管)直流I-V特性解析模型。从理论的角度分析了自热效应对A lG aN/G......
采用载流子速度饱和理论,建立了包含"自热效应"影响的适用于4H-SiC MESFET的大信号输出I-V特性解析模型,在模型中引入了温度变化的......
严重的自热效应和浮体效应是绝缘体上硅(SOI)器件的主要缺点。绝缘体上漏源(DSOI)结构的提出就是为了抑制SOI器件中的这两种效应。......
期刊
针对4H-SiC射频MESFET中的自热效应,建立了基于解析模型的材料参数温度模型和器件直流模型.研究了由陷阱造成的背栅效应,并结合材......
本文介绍了一种利用温敏Z-元件开发的可用于电子系统过热保护的新型温度传感器,并描述了它的特性、电路以及参数设计.这种新型温度......
本文建立了铂电阻传感器在精密温度测量中自热误差的热传递模型.提出了一种新型的结合降低激励电流,采用脉冲供电的方法来降低此项......
为了提高太阳辐照绝对辐射计(SIARs)的测量精度,消除温度变化对SIARs测量精度的影响,研究设计了精密温度控制系统,对SIARs进行恒温......
介绍了一个带自热效应的新型LDMOS解析式模型。通过研究以阈值电压为基础的BSIM3v3模型，增加了对漂移区影响的考虑，同时，加入自热效应......
介绍铂电阻温度计在检定与使用中的几种主要误差来源,为尽量避免和减少误差的引入应注意的问题.......
为了预测体声波谐振器（BAWR）的热行为并评估其功率容量,提出一种BAWR热行为仿真方法。首先提取BAWR电磁模型中的导体表面损耗,并以此......
基于介质电场增强ENDIF理论,提出了一种薄硅层阶梯埋氧型部分SOI（SBPSOI）高压器件结构。埋氧层阶梯处所引入的电荷不仅增强了埋层介......
GaAs MESFET微波功率放大器工作在脉冲周期状态下，由于自热效应，在很短的时间内（100μs数量级），芯片沟道温度可能产生十几度甚至几十度......
针对SOI MOSFET自热效应热量的来源——热生成行为进行了深入研究,结果表明,对于静态电路,饱和导通电流产生的焦耳热效应是主要热......
重掺杂使导带、价带带边同时发生了收缩,从而产生能带变窄效应(BGN).对于因重掺杂NPN突变AlGaAs/GaAs HBT,而引起BGN导带和价带突......
根据负反馈原理，提出一种复合管结构来补偿异质结双极型晶体管（HBT）的自热效应。仿真和测试曲线结果表明，在较宽环境温度和较大输出电......
提出了部分局域电荷槽SOI（partial locating charge trench SOI，PTSOI）高压器件新结构．该结构在槽内产生随漏极电压变化的界面电荷，此电......
在温度测量领域,低温和超低温温度的精确测量一直是一个很重要的课题.本文对几种新型的低温温度传感器技术做了简单的介绍,并研制......
随着信号输入功率的升高,电容式RF MEMS开关会发生自热效应使膜片变形,引起开关气隙高度的改变,导致开关驱动电压漂移,严重影响其......
为了克服传统SOI器件的浮体效应和自热效应，采用创新的工艺方法将低剂量局域SIMOX工艺及传统的CMOS工艺结合，实现了DSOI结构的器件。......
针对常规SOI器件纵向耐压低和自热效应两个主要问题，提出了变k介质埋层SOI（variable k dielectric buried Layer SOI，VkD SOI）高压功率......
金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)器件建模是半导体技术研究的重要课题,它在半导体器件设计和参数优化中发挥着重要作用。......
GaN作为第三代半导体材料,由于其高击穿电场、高电子迁移率等优良特性,被广泛地应用在电力电子技术领域。经过多年发展,GaN功率器......
人类对高频大功率领域微电子技术的需求催生了以GaN为代表的第三代半导体材料的出现和发展。GaN的优异性能使其成为新型半导体材料......
标准铂电阻温度计作为温度标准器,在国家量值传递系统表中占有重要地位,它的测量可靠性和精度也较其他传感器（如数字传感器、热电偶......
在SiGe HBT设计中,采用Al-TiN-Ti多层金属系统,可减小基极电阻,提高器件的频率和功率特性(fmax).但是,本文的研究表明,如果忽略了......
氮化镓是第三代先进半导体材料,兼具宽禁带、高热容量、高热传导系数、低电阻率、高电子迁移率等特性。半导体工艺制程的终极目标......
随着集成电路进入纳米时代，芯片的特征尺寸不断减小而集成度持续上升，片上晶体管数目的增加大大提高了芯片的复杂度，连接芯片内部功能......
研究了GaAs HBT的自热效应对功率放大器镜像电流源偏置电路性能的影响.HBT自热效应使得这种偏置电路的镜像精度和温度特性变差.利......
热响应时间是微测辐射热计的关键参数,它会制约非制冷红外探测器的最高工作帧频。热响应时间的像元级测试能够真实反映传感器的物......
