碳化硅(SiC)材料具有宽禁带、高电子饱和漂移速率、高临界击穿场强、高热 导率等优良特性，在高频、高温、大功率、抗辐射等领域拥......

提出了一种新型的SiCOI MESFET器件结构,即介质槽隔离SiCOI MESFET.模拟结果表明,新型结构器件与常规平面SiCOI MESFET器件相比,击......

基于表面氢化处理的金刚石材料，利用自对准栅工艺技术研制了P型金刚石肖特基栅场效应晶体管（MEsFET）。利用AFM和Raman测试方法对材料......

碳化硅(SiC)材料具有宽禁带、高电子饱和漂移速率、高临界击穿场强、高热导率等优良特性,在高频、高温、大功率、抗辐射等领域拥有......