本文研究了GaInPAs/InP晶格匹配超晶格材料方向的电子结构,对薄层超晶格和与之具有相同化学组份的混晶的色散关系作了比较。研究了......

采用经验赝势方法及界面边界条件，计算了生长在Ｇｅ０．。３Ｓｉ０．７衬底上的导带电子量子阱Ｇｅ０．３Ｓｉ０．７／Ｓｉ／Ｇｅ０．３Ｓｉ０．７的电子束缚能级，对它们在阱平面方向上的色散关系进行了讨论......