晶格匹配相关论文
为了减少锂金属的使用和电池的安全隐患,在集流体上制备Li薄膜负极甚至“无Li”负极受到越来越多的关注。然而,集流体的疏锂性和固......
自二十一世纪以来（2009年）,有机-无机杂化钙钛矿材料首次尝试应用于光伏领域,因为性能优异、成本低廉,从此引起了越来越多的科研人员......
本文根据Vagard定律,得到了Pb1-xSnxTe/PbTe1-ySey异质结晶格匹配条件,设计了生长参数,首次采用竖直液相外延炉生长了Pb1-xSnxTe/P......
采用提拉法成功生长了氮化镓和氧化锌基外延薄膜晶格匹配的ScA lMgO4单晶衬底材料,晶体呈透明白色,尺寸为30mm×59mm,表面部分沿......
报纸
1 引言在能量的使用中，电力是极端重要和持续增长的一项。仅在美国，电力生产每年就花费600亿美元。而电能的消费不能仅用金钱来衡量，......
在硅衬底晶格匹配In_(0.17)Al_(0.83)N/GaN异质结外延片上制备了Ti/Al/Ni/Au欧姆接触传输线模型测试结构,通过测试变温电流-电压特......
V基合金是一类具有鲜明特点的氢渗透材料,然而严重的氢脆问题是其在氢分离提纯应用中必须要解决的问题,合金化是一种通过改变氢溶......
与传统窄禁带半导体硅(Si)相比,宽禁带氮化镓(GaN)材料具有优良的物理特性,如强击穿电场、高电子迁移率、高电子饱和速度和高热导......
光子集成技术是光纤通信最前沿、最有前途的领域,它是满足未来网络带宽需求的最好办法。光子集成芯片与传统的分立OEO(光电光)处理......
水滑石（LDHs）及其焙烧产物应用范围很广，被用于催化、光敏、阻燃材料等多个领域。本文以含铁LDHs为单一前驱体，经过高温焙烧制备了镍铁......
量子点敏化太阳能电池(QDSSCs)是在传统的染料敏化太阳能电池(DSSCs)的基础上孕育而生的第三代新型低消耗的的光伏设备。它是用纳......
本文的研究工作主要分为两个部分,第一部分研究了YBCO薄膜生长条件和性质,第二部分是Tl2212薄膜的制备和相关性质的研究。第一部分......
钙钛矿结构掺杂锰氧化物的研究始于1950年，特别是上世纪90年代其超大磁电阻效应被发现后，此类材料成了科研工作者关注的焦点之一，这是......
本论文主要包括两部分内容。第一部分，采用磁控溅射法（Magnetron Sputtering）法在SrTiO3（100）基片上制备了不同沉积温度的La0.5Sr0.5CoO......
AlInN的物性一般可通过改变组分的方法进行大跨度调节,并可与GaN等材料晶格匹配,因此AlInN是比AlGaN和InGaN更为优异的三族氮化物......
稀土发光材料目前广泛应用在平板显示、照明、光通讯及激光器件等领域。尽管纳米稀土发光材料与体材料相比有很多的优点，但目前商品......
4.3 半导体键合技术(SBT)制备的四～五结叠层聚光电池rn2014年9月,德国Fraunhofer太阳能系统研究所等单位报道,他们采用SBT研制的四......
采用磁控溅射方法制备了Ta/NiFe/Bi(Ag,Cu)/FeMn/Ta和Ta/NiFeⅠ/FeMn/Bi(Ag,Cu)/NiFeⅡ/Ta多层膜.通过X射线衍射研究了薄膜样品Ta/......
全固态激光器(DPL)作为新一代的优质相干光源,具有广阔的应用前景.全固态激光器中使用的大量晶体给晶体镀膜的研究与发展提出了挑......
生物体内有机基质指导矿物晶体的成核、生长和聚集,使得生物矿物具有特定的形貌、取向和组装方式,从而产生特殊的功能.本文从有机......
采用铝热反应法制备Al5Ti1B和Al5Ti4RE1B中间合金,并对其进行物相、微观组织和细化效果分析;对比中间合金中第二相的晶体结构以及......
为了制备偏振不灵敏的半导体光放大器(SOA)，将有源区设计为由4个压应变、3个张应变阱层及晶格匹配的垒层InGaAsP交替组合而成的应变......
采用直流磁控反应溅射法，在3种衬底上获得c轴(002)定向生长的ZnO薄膜，并利用X射线衍射、PL谱对上述薄膜进行了实验研究。结果表明N型......
Ⅲ族氮化物材料是继Si和GaAs后又一类重要的半导体材料.本文主要介绍了用几种外延技术制备GaN材料的方法,并介绍了一种与GaN晶格匹......
4 Ⅲ-Ⅴ族化合物电池研发的新动向 4．1含GalnNAs（Sb）晶格匹配的三～五结叠层聚光电池 前文介绍在研发与GaAs晶格匹配的1eV带隙的GaInNAs......
前面已提到，与Ge晶格匹配的GaInP2/Ga（In）As／Ge三结电池材料系统无论对于空间还是地面阳光，都不是最理想的选择。图8给出了三级子单纯的......
采用蓝宝石图形衬底技术在金属有机物化学气相淀积（MOCVD）系统中制备了Mg掺杂的与GaN晶格匹配的InAlN。通过改变Al源、Mg源的掺杂量......
从晶格匹配及能带阶跃角度讨论了 n沟 Si /Si1－ xGex HEMT结构的设计原理及方法，对 Ismail器件进行了分析和计算，所得二维电子气 (2DE......
利用外延技术外延生长了MnBi合金,研究了不同的生长温度和不同的衬底对外延膜的生长的影响。发现控制Mn、Bi源的温度对生长的外延......
本文利用溶胶-凝胶法制备了LaxCa1-xMnO3薄膜,利用反射偏光显微镜和XRD对薄膜的结构和形貌进行了表征,研究了基底对薄膜的结构和形......
<正>聚光可利用相对便宜的光学系统,成百上千倍地提高照射到电池表面的太阳光强,相应增加电池的输出功率,降低光伏发电系统的成本......
<正>4.3半导体键合技术(SBT)制备的四~五结叠层聚光电池2014年9月,德国Fraunhofer太阳能系统研究所等单位报道,他们采用SBT研制的......
1背景介绍钙钛矿氧化物界面的物理特性,可以通过晶格匹配、应力、极化场等参数进行有效的调控,组合多种优异性质以实现复合功能与......
制备了晶格匹配In0.17Al0.83N/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT),并通过施加一个持续的应力,研究了器件在不同源漏应力下的退化机制。......
详细介绍了一种新型半导体材料(InGaNAs)的生长特点及其在制作高特征温度的长波长量子阱激光器、长波长垂直腔面发射激光器、长波......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
从氢键作用和晶格匹配的角度，讨论了单分子膜和自组装单分子膜（SAMs）调控下有机晶体的生长，这些有机晶体包括甘氨酸、丙胺酸、天冬氨酸......
采用提拉法成功生长了氮化镓和氧化锌基外延薄膜晶格匹配的ScA lMgO4单晶衬底材料,晶体呈透明白色,尺寸为30mm×59mm,表面部分沿......
期刊
有机基质与无机晶体的晶格几何匹配是导致生物体内矿物有序生长并具有特殊理化性质的重要因素之一.作为模拟生物矿化的重要模板之......
二维纳米材料具有非常大的比表面积,以及层内和层间性质的显著差异,因此具有一些新奇的性能,有可能被应用于电子、光电子、催化、......
本文利用透射电子显微镜(TEM),偏光显微镜(POM),傅里叶变换红外光谱(FTIR)以及原子力显微镜(AFM)围绕基于全同聚1-丁烯的聚合物附......
生物体内有机基质指导矿物晶体的成核、生长和聚集,使得生物矿物具有特定的形貌、取向和组装方式,从而产生特殊的功能。本文从有机......
<正>从1954年第一只光电转换效率达到实际应用水平的硅太阳电池在美国贝尔实验室诞生起,光伏技术已有了50多年的发展历史。在上个......
