脉冲中子辐射相关论文
快中子脉冲辐射将在双极器件中导入Frandel缺陷，这严重地降低了双极IC的性能，但这些缺陷的一部分能很快自动消除，从而又使器件性能部......
快中子脉冲辐射将在双极器件中导入Frankel缺陷，这严重地降低了双极IC的性能，但这些缺陷的一部分能很快自动消除，从而又使器件性能部......
从双极器件在快中子脉冲辐射下Frenkel缺陷的产生及其退火机理出发,推导出器件β在中子脉冲作用下随AF(t)和电荷浓度变化的数学模......
研究了脉冲中子辐射的中子嬗变掺杂（NTD）硅二极管中缺陷的形成及其退火特征，并与热中子辐照样品进行了比较，深能级瞬态谱仪（DLTS）测量表......
