深能级瞬态谱相关论文
＜正＞通过对 Al 电极/HfA10/Si 组成的金属一氧化物一半导体电容（MOS-C）的深能级瞬态谱（DLTS）研究,HfA10和 Si 的界面区域缺陷的性质可以......
本文制作了以共蒸发Cu2Te、掺杂石墨为背接触层的两种CdS/CdTe薄膜太阳电池。用深能级瞬态谱研究了它们的深能级中心。在以共蒸发C......
对GaN器件制备过程中AlN缓冲层相关的电活性缺陷进行了C-V和深能级瞬态谱(DLTS)研究。C-V研究结果表明, 制备态Ni-Au/AlN/Si MIS器......
第三代半导体材料氮化镓(GaN)因具有击穿电场高,禁带宽度大,电子迁移率高等特点,在高温高频、高功率军用电子以及5G通讯等领域有着......
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钛酸锶(SrTiO_3,STO)是一种具有典型钙钛矿结构的绝缘体,近年来各项实验表明,用氩离子(Ar+)轰击绝缘SrTiO_3后,其表面准二维导电层......
学位
金刚石具有优异的电学、光学和机械性能,能够耐高温、耐腐蚀和抗强辐射,已成为当前光电器件在苛刻环境下工作的首选材料。但是生长......
用深能级瞬态谱(DLTS)法测定了有意在硅中掺入的过渡金属的主要深能级位置,发现一个与铁有关的缺陷能级(E_(?)-0.31ev)。并观察了......
随着对各种辐照射线及其辐射效应不断深入的研究，辐照技术已被应用于半导体材料、器件改性等多种领域。电子辐照技术作为现今主要寿......
建立了计算机控制的快速傅立叶深能级瞬态谱测试系统,对该方法所存在的问题进行了研究,并提出了新的方法.相对于传统深能级瞬态谱(......
利用分子束外延系统（MBE）生长高浓度的掺铒硅样品,用电学方法对样品的缺陷态进行研究,结果表明铒氧共同掺入硅中引入施主缺陷.如果在......
研究了脉冲中子辐照的中子嬗变掺杂(NTD)硅二极管中缺陷的形成及其退火特征,并与热中子辐照样品进行了比较.深能级瞬态谱仪(DLTS)......
首次应用深能级瞬态谱(DLTS)技术,研究了γ射线辐照Gap红色发光二级管深能和亮度的影响.结果表明,γ射线辐照射后,Gap红色发光二级......
利用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究了Si夹层和GaAs层不同生长温度对GaAs/AlAs异质结晶体品质的影响.发现Si夹层的引入并没有引起明显......
利用低压垂直布里奇曼法制备了不同In掺杂量的CdZnTe晶体样品,采用低温光致发光谱（PL）、深能级瞬态谱（DLTS）以及霍尔测试等手段研究了I......
碳化硅(SiC)材料是第三代半导体中典型的宽禁带半导体材料之一,被广泛应用在抗高压和抗辐照环境中,在航空航天等领域中具有重要的......
本文用低温光致发光谱（PL）和深能级瞬态谱（DLTS）技术对中子和不同能量电子辐照后6H-SiC外延层的辐照诱生缺陷进行了研究，研究了不同辐照......
介绍了深能级瞬态谱（DLTS）的基本原理,作了n型样品的深能级瞬态谱的计算。描述了DLTS信号的仿真方法,对n型6H-SiC中的一个深能级陷阱......
本文是用深能级瞬态谱(DLTS)研究器件的失效机理.利用DLTS技术,区别是属于表面失效,还是属于体内缺陷引起为失效,并且还研究了深能......
利用DLTS技术详细研究经钛溅射和RTA950℃处理在n型和p型硅里引进的深能级.结果表明在n型硅里有二个,在p型硅里有三个深能级生成.......
随着太阳电池技术的不断进步,对其构成材料的性质表征和改良更新,以及对新型结构电池性质表征手段的发展和创新,都是具有重要意义......
利用深能级瞬态谱(DLTS)仪对SiC衬底上GaN基光发射二极管(LED)中n-In025Ga0.75N层的深能级进行了研究.在77 K到300 K的温度扫描范......
<正> 深能级瞬态谱(DLTS)技术是研究半导体中深能级杂质与缺陷的有效手段。但是它给出的信息是在一个比较大的范围内的平均值,不能......
本文采用高能离子注入技术将两种剂量的稀土元素钕(Nd)引入外延n-Si片中,并借助非相干光快速热退火(RTA)方法使注入层再结晶并电激......
<正> 磷化铟和与它有关的三元四元合金是目前认为作光电及微波器件比较有前途的材料.上述一些器件的制备工艺虽尚未成熟,但已发现......
本文综述了近十多年以来对Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中深能级杂质缺陷的研究工作。讨论了深能级杂质缺陷对Ⅲ-Ⅴ族化合物材料与器件的性......
用深能级瞬态谱研究了如下三种N型区熔硅在低剂量中子辐照下的电子陷阱及其退火行为,(1)氩气氛生长,(2)氢气氛生长,(3)氢气氛生长......
被誉为“21世纪的硅集成电路技术”的SOI技术，由于SOI独特的结构特性，而被广泛的应用在低压、低功耗电路、高温器件、抗辐照器件以及......
多晶硅太阳电池占据着光伏市场的主要地位，提高其能量转换效率和降低其生产成本是光伏产业技术发展的关键。多晶硅材料内部晶体缺陷......
针对不同基区表面掺杂浓度的NPN型晶体管,采用^60Coγ射线辐射源开展辐照实验,根据测得的电学参数及深能级瞬态谱,分析了NPN型晶体......
在实际生产和研究中所使用的半导体材料都并非理想结构,都含有缺陷。它们可能是外来原子（杂质）,也可能是本身晶体结构方面的缺陷。半......
降低表面反射率和减少表面载流子复合是提高太阳电池效率的两个重要方法。将单晶硅制备成具有金字塔绒面和纳米线阵列双减反射层结......
宽禁带半导体材料GaN和SiC是在蓝色发光和极端器件中很有前途的材料。也被寄希望在军事和航天等辐射环境下工作。在其器件生产中，电......
硅太阳能电池发展至今,其制造成本相对比较低廉,制备工艺也已经趋于完善和成熟。并且,硅太阳能电池不仅具有晶体硅材料长寿命和高......
用深能级瞬态谱和光致发光研究了无背接触层的CdS/CdTe薄膜太阳电池的杂质分布和深能级中心.得到了净掺杂浓度在器件中的分布.确定......
研究了脉冲中子辐照的中子嬗变掺杂 (NTD)硅二极管中缺陷的形成及其退火特征 ,并与热中子辐照样品进行了比较。深能级瞬态谱仪 (DL......
