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脉冲激光退火技术相关论文
锗n+/p浅结及SOI基Ge波导型光电探测器的研制
Ge由于其在光纤通信波段(1.3~1.55μm)有较大的吸收系数,比Si具有更高的电子和空穴迁移率,与标准CMOS工艺兼容性好等优点,被广泛应用于......
学位
SOI基锗波导探测器
锗掺杂
低温预退火技术
脉冲激光退火技术
结构设计
光学传输特性
电学性能
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