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负栅压偏置相关论文

负栅压偏置下AlGaN/GaN HEMTs的器件退化机制

通过对器件在Vds=OV条件下进行阶跃电应力测试,研究AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)在负棚压偏置条件下的退化机制。测试结果......

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半导体器件高电子迁移率晶体管负栅压偏置退化机制阶跃应力逆压电极化效应

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