高电子迁移率晶体管相关论文
氮化镓（GaN）是第三代半导体材料的典型代表,具有宽带隙、高临界击穿电场及高饱和电子漂移速率等优异特性,特别是AlGaN/GaN异质结具有......
近些年来,AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）于高温高功率等场合应用广泛,但是由于器件的欧姆电极热稳定性、直流性能退化、界面陷......
GaN相比其他半导体材料主要的优势在于较大的禁带宽度以及更高的电子迁移率和饱和速率,使得其在电力电子领域具有广阔的应用前景。......
氮化镓（GaN）是一种重要的直接带隙宽禁带半导体材料,在国家“十四五”规划和2035年远景目标纲要中被确定为重点发展方向之一。GaN材......
通过金属有机物化学气相沉积（MOCVD）法，在6英寸硅（111）衬底上生长了出制作高电子迁移率晶体管（High Electron Mobility Transistor，HEMT）的......
得益于GaN材料的宽带隙、高饱和速度和高击穿电压等特性,GaN基高电子迁移率晶体管（high electron mobility transistor,HEMT）在高温......
氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（high electron mobility transistor, HEMT）以其击穿场强高、导通电阻低、转换效率高等特点引起科研人......
数字化、智慧化、绿色化的发展趋势对电源系统提出了高能效、小体积、高能量密度的刚性需求。氮化镓（GaN）材料以其禁带宽度大、临界......
利用60Co-γ射线对设计的GaAs基HEMT力敏结构进行了不同剂量的辐照,通过对辐照前后结构的电学特性、力敏特性分析对比,得到了γ辐......
为获得更高的阈值电压,提出了一种新型栅下双异质结增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT).使用双异质结电荷控制模型分析了基......
太赫兹编码超表面对于在复杂信道环境中实现大容量高速通信具有巨大潜力,对发展6G无线通信技术具有重要研究价值.针对目前太赫兹频......
GaN基高电子迁移率晶体管（HEMT）凭借其大功率、耐高压的特点,近年来被广泛应用于5G技术、新能源汽车、无人机等新兴产业。但是由于HE......
随着微波系统的发展，对固态功率放大器件的性能要求越来越高，现有的GaAs功率器件已经越来越不能满足系统的要求。作为下一代固态微波......
随着半导体产业的不断升级发展,传统的Si基功率半导体器件已进入性能瓶颈期。以氮化镓（GaN）为代表的第三代宽禁带氮化物半导体材料性......
在对外太空的探索中,用于宇宙射线探测的半导体探测器的输出信号比较微弱,必须搭配前置放大电路使用。近几年第三代半导体正飞速发......
GaN电力电子器件具有高效率、小尺寸、低损耗的优势,近年来华为、小米等企业推出了100多款手机快充,并在电动汽车、激光雷达、包络......
设计了一种用于GaN高电子迁移率晶体管(High-Electron-Mobility Transistor,HEMT)器件栅驱动芯片的快速响应低压差线性稳压器(Low ......
针对传统高电子迁移率晶体管(High electron mobility transistor,HEMT)非线性I-V模型需要根据脉冲I-V数据、直流I-V数据建立的现......
相较于传统AlGaN/GaN HEMTs,采用晶格匹配In0.17Al0.83N/GaN异质结可有效消除逆压电效应引发的器件可靠性问题,而且沟道二维电子气......
毫米波具有波长短、频带宽和波束窄等优势,可大幅提高雷达的探测精度和通信的数据容量,提供更多互不干扰的通道。此外,毫米波频段（3......
提出了一款基于超材料的太赫兹幅度调制器,其结构由开口“弓”形超材料结构、高电子迁移率晶体管、斜十字馈线和碳化硅衬底四部分......
由于GaN HEMT所具有的宽带、高效和高功率等特性,近年来在外军宽带战术电台中得到了广泛的应用,但在国内这方面的具体应用成果尚不......
近年来,随着对非极性GaN基量子阱器件的深入研究,研究人员观察到其二维电子气输运特性具有显著的各向异性.典型的非极性GaN异质结......
报告了研制的AlGaN/GaN微波功率HEMT,该器件采用以蓝宝石为衬底的非掺杂AlGaN/GaN异质结构,器件工艺采用Ti/Al/Ni/Au欧姆接触和Ni/......
目前,AlGaN/GaN HEMT作为大功率器件,其功率特性一直是研究的重点.而击穿电压是制约AlGaN/GaN HEMT在高功率高耐压电路应用中的关......
GaN基电子器件因其高二维电子气密度、高电子迁移率和高击穿电压等显著优点受到国内外关注。经过十几年的发展,GaN基器件研究取得......
自从半导体材料出现以来,现代科技经历了前所未有的飞速发展.同时,不断进步的现代科技对半导体产品有着越来越高的要求.想要满足这......
报告了研制的SiC衬底上的AlGaN/GaN微波功率HEMTs.器件研制中采用凹槽栅和场调制板结构,有效抑制了电流崩塌并提高了器件的击穿电......
通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程模拟计算了AlGaN/AlN/GaN/AlN/AlGaN双异质HEHT结构。采用AlGaN缓冲层代替传统的GaN缓冲层，有效......
本文测试了SiC衬底,0.2μm栅长的AlN/GaN HEMT器件的小信号S参数。对比不同栅宽器件的频率特性,发现fmax随器件栅宽的增加而下降,......
相比于传统的硅基MOSFET,基于AlGaN/GaN异质结的高电子迁移率晶体管(HEMT)具有低导通电阻、高击穿电压、高开关频率等独特优势,从......
相比于传统硅器件,基于氮化镓(GaN)材料的高电子迁移率晶体管(HEMT)有更大的击穿场强、更快的电子饱和速度和更高的允许工作温度.A......
SiNx作为一种常见的绝缘材料,常作为AlGaN/GaN MIS-HEMTs的栅介质以及钝化层.LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)生长......
宽禁带半导体材料氮化镓(GaN)具有禁带宽度宽、临界击穿电场强度大、饱和电子漂移速度高、介电常数小以及良好的化学稳定性等优点,......
增强型工作的实现仍然是氮化镓电力电子器件制备的难点,常规栅刻蚀工艺在沟道区域引入的损伤使得载流子的迁移率急剧降低,严重影响......
基于MOCVD生长的AlGaN/GaN异质外延材料,采用栅挖槽技术结合A12O3介质的方式研制了1um栅长MIS结构GaN增强型HEMT器件.器件阈值电压......
本文利用Triquint TGF2023 5mmGaN高电子迁移率器件,设计了一款高效率C波段内匹配功率放大器.整个放大器由1个5mm栅宽的GaN HEMT、......
研制出蓝宝石衬底的15nm势垒层的F注入增强犁AlGaN/GaNHEMT。薄势垒耗尽型器件阈值电压为-1.7V,而常规的22nm器件阈值电压为-3.5V,......
采用GaN微波功率HEMT0.4 mm和2 mm管芯,应用GaAs匹配电路实现C波段微波功率模块。该器件研制中采用两级放大电路,正负电源结构,在5......
本研究在不同尺寸的(111)面Si衬底上采用MOCVD生长了GaN层，和A1GaNIGaN-on-Si HEMT结构。通过采用多种应力缓冲层和位错过滤层，很大......
本文提出了一种具有P型埋层耐压结构的垂直GaN基异质结场效应晶体管(PBL-VHFET).该新结构器件在关断耐压时,可实现缓冲层内部电场......
为了解决GaN基HFET纵向结构器件目前面临着继续提高击穿电压与保持低比导通电阻之间的矛盾,本文提出一种带电流阻挡层的高耐压pnp......
为了深入分析器件的关键结构和工艺参数对毫米波器件频率特性的影响,本文首先制作了90nm栅长的不同栅宽AlGaN/GaN HEMT器件,其fT、......
本文对AlGaN/GaN HEMT进行了系统的直流和脉冲Ⅰ-Ⅴ测试,观察到在不同测试方法下跨导线性度存在明显的差异。基于该实验现象，提出了......
为了深入研究表面处理工艺对AlGaN/GaN HEMT器件特性的影响,本文在栅金属淀积前,分别采用1∶5和1∶10浓度的HCl溶液对样品表面进行......
