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基于石墨烯场效应晶体管的研究进展
在传统硅基器件日益趋近物理极限的背景下,石墨烯场效应晶体管(GFET)作为一种新型纳米器件受到广泛的关注。介绍了GFET的主要器件......
期刊
场效应晶体管
带隙
石墨烯
外延生长
带隙调控
旋涂法
有源层
超高迁移率
化学气相沉积
纳米器件
二维铁电材料LaOBiS2的第一性原理研究
铁电材料是一种具有自发的电极化现象,并且其极化方向可以通过施加外加电场来完成翻转的特殊材料,因而在信息存储器件、场效应器件......
学位
二维铁电
LaOBiS2
超高迁移率
应变调控
第一性原理计算
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