有源层相关论文
近几十年,有机半导体材料开始受到人们的关注。在这个背景下,有机薄膜晶体管（Organic Thin Film Transistors, OTFTs）的研究也随之开......
现代显示技术在飞速发展，人们对高分辨率、高帧数的需求不断提高，所以显示器对驱动器件性能的需求也不断提高。目前显示行业中使用的......
报道了用有机染料ＴＰＢ（１，ｌ，４，４－四苯基丁二烯）分散到ＰＶＫ（聚乙烯基咔唑）中的掺杂聚合物作有源层制作的蓝光发光二极管及其发光特性。聚合物发光层用旋转......
为提高ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ静电放电失效阈值，通过ＥＳＤ实验前、后直流参数和热分布变化获取不足１０％的器件表现为永久性失效，而９０％以上的器件表现为潜在性失效的结果......
据《信学技报》(日)2010年109-361期报道,日本住友电工采用圆片级芯片尺寸封装(WLCSP)技术,在GaAs衬底上形成PHEMT有源层,并在其上......
以酞菁铜为有源层,二氧化硅为绝缘层,钛/金作为电极,制作了沟道宽长比为6 000/10的有机薄膜晶体管。通过比较在不同时期器件在空气......
以酞菁铜为有源层,二氧化硅为绝缘层,钛/金作为电极,制作了三种不同沟道宽长比的有机薄膜晶体管器件。通过对这三种器件的电学特性......
有机场效应晶体管(organic field-effect transistors,OFETs)是以有机半导体材料作为有源层,通过电场控制电流的电子器件.与传统的......
采用不同溅射功率制备的铟镓氧化锌(IGZO)薄膜作为薄膜晶体管(TFT)的有源层,通过扫描电镜、霍尔效应测试仪,分析了溅射功率对IGZO......
采用高温热分解法合成了粒径约为10nm的LiYF4…Er,Yb纳米晶,将其掺杂入SU-8聚合物作为光波导放大器的有源层。以SiO2作为下包层,P(......
在传统硅基器件日益趋近物理极限的背景下,石墨烯场效应晶体管(GFET)作为一种新型纳米器件受到广泛的关注。介绍了GFET的主要器件......
近几十年,有机半导体材料开始受到人们的关注。在这个背景下,有机薄膜晶体管(Organic Thin Film Transistors, OTFTs)的研究也随之......
报道超薄有源层ＡｌｘＧａ１－ｘＡＳ／ＧａＡｓ分别限制双异质结构半导体激光器的液相外延的过程。讨论了过冷度、生长温度和降温速率等对生长速率的影响。扫描电......
ZnO作为活性层制作薄膜晶体管(thin film transistor,简称TFT),因性能改进显著而成为新兴的研究热点.就TFT发展历史、器件典型结构......
设计了一种张应变与压应变相结合的混合应变量子阱结构超辐射发光二极管,研究了TE模和TM模在器件中的模式增益,分析了影响增益偏振......
本文首次报道了高掺杂沟道的GaAs MIS SB FET.在S.I.GaAs衬底上用离子注入Si,同时形成高浓度、超薄的有源层和欧姆接触区,载流子峰......
本文研究了经常规热退火和快速热退火后SIGaAs中S+注入的电学特性.热退火后,GaAs中注入S+的快扩散和再分布不决定于S+或砷空位VAS......
随着通信技术的发展进步,需要高速率、大容量并且灵活、节约的光源满足下一代系统需求。可调谐DFB-LD因其具有稳定的动态单模输出......
该文的目的来自于650nm半导体激光器产业化对理论基础的要求,因为激光器的性能与其结构密切相关,该文着重阐明其中的关系.由于650n......
1一种结构改良的LED芯片公开（公告）号：CN102148309A摘要：本发明涉及LED制备技术领域,尤其涉及一种结构改良的LED芯片。本发明所述的一......
在普通玻璃衬底上低温(600℃以下)制备poly-Si TFT有源矩阵液晶显示器是当前的研究热点.采用金属诱导横向晶化法低温研制了poly-Si......
期刊
4 非晶硅中氢(H)的作用(1)钝化悬挂键实际上早期采用蒸发方法制备的非晶硅材料并不含有氢(H),所以写成a-Si.缺陷态密度很高,很难制......
研究了不同厚度有源层的顶电极CuPc-OTFT器件的电学特性。发现器件的性能与有源层厚度有依赖关系，其中，有源层厚度为20nm的器件性能......
对低速沉积的栅极绝缘层和低速沉积的有源层的薄膜沉积条件进行了优化，设定4个实验条件，考察了不同条件下膜层的均匀性，TFT产品的开路......
氧化锌基薄膜晶体管（ZnO-TFT）器件的性能受到多种因素的影响,如半导体有源层、栅介质层的质量、栅介质与有源层的界面质量,其中有源......
本文研究并制备了钆铝锌氧薄膜和以钆铝锌氧为有源层的薄膜晶体管。钆铝锌氧薄膜材料的光致发光光谱和透过率说明钆铝锌氧薄膜在透......
为提升聚合物太阳能电池的光电转换效率,在有源层中掺杂PbSe量子点,研究对电池性能的影响。首先采用热化学法制备PbSe量子点,通过......
由于多晶硅薄膜晶粒间界存在大量的悬挂键与缺陷,形成带隙能态,从而导致在有源层中形成载流子陷阱和杂质分凝,本文从微观方面解释......
以非晶硅薄膜为核心的薄膜晶体管技术目前已经相当成熟,在该技术投入使用并且得以很好地优化之后,要想进一步提高薄膜晶体管的性能......
发光电容器（LEC）由于其轻薄柔软、可弯曲、发光均匀、节能环保的特点,逐渐在照明领域兴起,为市场提供了一种节能低碳的纯平面光源。......
<正> 八十年代末期,随着GaN材料生长和掺杂等关键技术的突破,尤其是1993年12月,在光电子领域名不经传的日本日亚化学工业公司在世......
TFT-LCD产品为现代显示的主流,如何提高其显示品质成为大家普遍关注的问题,尤其近期发现的过孔发黑（黑点）问题尤为突出,严重影响了产......
采用旋涂法制备硅烷偶联剂-氧化石墨烯（KH550-GO）新型复合栅介质薄膜,由于栅介质层和沟道层界面处明显的双电层效应,单位面积电容高......
由于铟镓锌氧化物(IGZO)薄膜具有高迁移率和高透过率的特点,它作为有源层被广泛的应用于薄膜晶体管(TFT).本文利用磁控溅射方法制......
论述行波半导体激光放大器(TW—SLA)的基本原理、结构和性能,对它在光纤通信中的应用及发展前景作了较全面的分析。......
利用有机-无机杂化钙钛矿材料兼有机材料的易加工性和无机半导体优异的载流子迁移率的特点,采用有机-无机杂化MAPbI 3材料制备薄膜......
ZnO作为一种拥有优异性能的Ⅱ-Ⅵ族宽带隙半导体材料,室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能高达60meV,是制备半导体紫外光电器件的理......
通过构建垂直腔表面发射半导体激光器(VCSELs)的动态仿真模型,研究了有源层孔径和厚度对VCSELs大信号深度调制特性的影响.仿真结果......
通过检索近年来关于铝掺杂氧化锌薄膜晶体管(AZO-TFT)的相关文献,对文献进行研究综述。作为铟镓锌氧化物薄膜晶体管(IGZO-TFT)的替......
【正】有源层是半导体材料的核心功能层,直接影响各种大功率、高频、高速、高灵敏度、抗辐照、高可靠核心电子元器件的性能、功能......
我们提出利用有机小分子空穴注入材料m-MTDATA来改善金与并五苯表面层之间的空穴注入特性。有机空穴注入材料m-MTDATA具有较低的电......
