边缘击穿相关论文
研究和分析了一种0. 18μm CMOS工艺单光子雪崩二极管（SPAD）,其结构能抑制过早的边缘击穿（PEB）,同时获得较大的光电流和低的暗计数率（DC......
介绍了一种0. 18μm互补金属氧化物半导体（CMOS）技术的新型宽光谱荧光相关谱探测器,其为高边缘击穿、扩展光谱和低暗计数率的圆形单......
平面型雪崩光电二极管（APD）在结弯曲处具有高的电场，导致在结边缘的提前击穿。运用FEMLAB软件对不同工艺流程制备的三种不同结构平面......
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提出了一种基于0.35μm CMOS工艺的、具有p~+/n阱二极管结构的雪崩光电二极管(APD),器件引入了p阱保护环结构。采用silvaco软件对C......
平面型雪崩光电二极管(APD)在结弯曲处具有更高的电场,易导致结边缘的提前击穿。运用FEMLAB软件对多级台阶结构的平面型InP/InGaAs......
雪崩光电二极管(APD)作为一种具有内部增益的光电探测器,被广泛地应用于光纤通信领域,其中平面型APD具有暗电流低、可靠性高等优点......
通过有限元分析设计了具有抑制边缘击穿的层叠边缘结结构的平面型InGaAs/InP盖革雪崩光电二极管.通过仔细地控制中央区域结的深度,......
