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采用减压化学气相沉积(RPCVD)系统,通过调节GeH4和刻蚀性气体HCl的通入速率,在Si/SiO2图形衬底上利用40 nm薄低温Ge缓冲层选择性外......
过去广泛地研究过用二氧化硅作掩蔽的硅选择性外延生长,但二氧化硅在氢气中易性能劣化,在硅选择性外延时二氧化硅要挥发,用氮化硅......
利用超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)成功实现了Si1-xGex的低温选择性外延生长.并研究了H2对选择性外延生长的影响及其作用机理.以SiH4和......