氮化硅膜相关论文
利用红外吸收谱等微观分析对氧化硅和氨化硅薄膜的成分和结构进行了研究．采用高频Ｃ－Ｖ测试和准静态离子电流法测量了氧化硅、氯化硅及其......
隔离技术是集成电路制造工艺中颇为重要的技术。本文综合介绍了当今半导体加工工艺中所用的隔离技术，包括现有双极和ＭＯＳ器件所用的各种......
加速器质谱(accelerator mass spectrometry,AMS)技术因探测对象不同,探测器也应根据需要进行选择.为建立低能量重离子加速器质谱......
对于硅片来说,当在其上制作出集成电路芯片以前,一面要在硅片上复盖各种物质,一面将根据需要再度分步清除。作为复盖在硅片上的物......
在半导体制造和微机电系统领域，等离子体技术是一种不可或缺的加工手段。为了实现任意图形的无掩膜加工，课题组之前提出利用倒金字塔......
传统相变热处理和化学热处理用于钢铁表面改性已很难满足现代工业，尤其是精密加工制造业的需要。氮化硅膜以其硬度高、耐磨性和耐腐......
采用热氧化法在多晶硅及单晶硅大面积太阳电池上生长二氧化硅钝化膜,结合丝网印刷制电极及二氧化钛减反射膜工艺,使太阳电池的扩散......
研究了不同颜色太阳电池的制备工艺和电学性能。实验表明,随着镀膜压强的增加,减反射层的折射率缓慢增加,当压强超过1800 m Torr时......
研究并实现了一种35μm宽三角形硅支撑梁X射线氮化硅膜窗口,通过对位于单晶硅片中央的氮化硅薄膜窗口进行测试,并获得了较好的性能......
摘要：氮化硅膜是对提高太阳能电池光电转换效率有重要作用的减反射膜。文章介绍了氮化硅膜的钝化作用和减反射作用，陈述了PECVD生长......
利用光伏电池发电是解决能源问题和环境问题的重要途径之一。目前,80%以上的太阳电池是由晶体硅材料制备而成的,制备高效率低成本......
采用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）制得氮化硅和氢化非晶硅薄膜，对PECVD设备中基板支撑梢区域的膜质进行了研究。结果显示基板支......
对FFS-TFT制作工艺中,与氮化硅膜层接触的透明电极ITO发生的雾状不良进行分析研究.通过扫描电子显微镜、宏观/微观显微镜和背光源......
为探索用激光和等离子体共同辅助化学气相沉积（ＣＶＤ）过程以实现室温沉积的可能性，设计并制造了一种新型的ＣＶＤ装置，实际进行了由ＳｉＨ４－ＮＨ３－Ｎ２体系制取Ｓｉ３Ｎ４膜的试......
应变Si技术可以显著提高器件载流子迁移率,提升器件性能,已成为当前国内外关注的研究领域与发展重点。而SiN致应变技术作为应变Si......
本文描述一种测量介质膜生长过程中的应力的方法。测量结果表明:硅片在850～920℃热氧化时,二氧化硅膜中的压应力为3.4～2.1×10~9......
垂直型炉管机台(LPCVD)由于其良好的均匀度和批量生产的优势使得其从20世纪90年代开始，一直是集成电路制造领域必备的设备之一。普......
利用2.0—2.5MeV He的弹性反冲探测方法,测量了二氧化硅和氮化硅膜层中的氢分布,并给出氢含量与淀积工艺条件的关系.讨论了在给定......
薄窗型气体探测器是最近发展并用于低能量加速器质谱探测技术。该探测器的入射窗采用氮化硅膜,薄而均匀,分辨率高,目前已在低能量......
采用等效界面概念,通过导纳矩阵法,建立晶硅太阳电池多层膜模型,利用PC1D进行仿真设计研究,优化多层膜各层的厚度、折射率等参数,......
以等离子化学汽相、低温沉积氮化硅、二氧化硅时,氢以Si-H键、Si-OH键或N-H键的形式存在于膜层中。氢的含量对膜层的结构、腐蚀速......
