采用真空蒸镀法制备厚度400~2100nm、表面均方根粗糙度Rq...

采用蒸镀法在Si(001)基片上制备晶粒尺寸35 nm,RMS表面粗糙度优于11 nm的Be薄膜。蒸发温度由1 050℃升高至1 150℃时,Be薄膜表面形......

采用蒸镀法在Si（001）基片上制备晶粒尺寸35nm，RMS表面粗糙度优于11nm的Be薄膜。蒸发温度由1050℃升高至11500C时，Be薄膜表面形态由细小......