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铝氮化镓半导体材料相关论文
AlGaN基深紫外LED的能带调控和极化诱导掺杂研究
Ⅲ族氮化物作为新一代半导体材料,具有宽直接带隙、高电子漂移率、高热导率、耐高温、抗腐蚀、抗辐射等优点,适合制作高频、高功率、......
学位
紫外发光二极管
能带调控
极化诱导掺杂
铝氮化镓半导体材料
电子阻挡层
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