电子阻挡层相关论文
AlGaN基深紫外发光二极管（DUV-LED）是一种新型固态光源。当前的研究课题大多只关注器件纵向结构而忽略横向优化对DUV-LED性能提升的......
学位
随着半导体材料与器件的不断研究与发展,AlGaN基紫外发光二极管（light-emitting diode,LED）应用越来越广泛,在一些新领域也逐渐得到......
近年来,GaN基绿光激光二极管的光电性能取得了很大的改善,在激光打印、激光测量、激光显示、激光照明以及通信等领域有着重要的应......
尝试采用三种方式来平衡载流子的浓度, 以提高量子点发光二极管(QLED)的外量子效率等性能：在正装结构(ITO/HIL/HTL/QD/ETL/EIL/金属......
近年来,基于高Al组分AlGaN及其低维量子结构的深紫外(DUV)短波长发光二极管(LED)引起了极大地关注,在日常照明、杀菌消毒、智能家......
固体氧化物燃料电池（Solid Oxide Fuel Cells,SOFCs）是一种将燃料的化学能直接转化为电能的能量转化装置。铈基电解质是SOFCs最有商......
量子点(Quantum Dots, QDs)因其具有吸收范围宽、发射范围窄、色彩对比度饱和度高等优势，已经在光电转化、照明显示以及生物医药等......
随着能源危机和环境问题日益加剧,寻求无污染的清洁能源成为人类当前的重要课题,其中,太阳能电池被公认为是重要解决途径之一。钙......
Ⅲ族氮化物作为新一代半导体材料，具有宽直接带隙、高电子漂移率、高热导率、耐高温、抗腐蚀、抗辐射等优点，适合制作高频、高功率、......
本论文主要研究了紫光LED中量子垒和电子阻挡层的设计，主要结论如下: 1.首先利用SiLENSe软件模拟分析了AlGaN量子垒在紫光LED结......
通过设计包括不同Al含量的单层p-AlGaN电子阻挡层与10对p-AlGaN/GaN超晶格电子阻挡层的三种紫光LED结构,利用APSYS软件理论模拟研......
以CBP作为母体材料,绿色磷光染料Ir(ppy)3作为敏化剂,以荧光染料rubrene作为受主,制备了结构为ITO/2T-NATA(25 nm)/NPBX(25-d nm)/......
期刊
为了降低2 μm InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器的阈值电流并获得良好的温度特性,在p型波导层及限制层之间引入AlGaAsSb电子阻挡层.......
通过对GaN基LED的量子阱垒层进行重新设计,提高了发光二极管（LED）器件的量子效率.并通过理论计算从量子阱的内建电场、载流子分布、......
为了降低2μm InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器的阈值电流并获得良好的温度特性,在p型波导层及限制层之间引入AlGaAsSb电子阻挡层。......
AlGaN基深紫外半导体激光器有着巨大的应用市场,例如化学分析,医疗诊断设备,生物试剂检测系统,高密度数据存储,水净化和材料处理等......
采用有机金属化学气相沉积法,在1μm氮化铝/蓝宝石衬底上制备了不同结构的AlGaN基多量子阱结构的深紫外发光二极管,其禁带边发光峰......
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AlxGa1-xN是直接带隙宽禁带半导体材料,化学性质稳定,耐高温,抗辐射,波长在200～365 nm范围内连续可调,在空气净化、杀菌与消毒、半......
GaN基LED因为其耐潮、耐震、寿命长、节能环保和色度饱满等优势,在绿色照明和微电子等领域中的应用越来越普遍,其市场日益受到研究......
相比传统半导体硅,III族氮化物半导体氮化镓(GaN)具有宽禁带和直接带隙等优势,特别适合制备高效短波长发光器件,如蓝色发光二极管(......
近年来，GaN基紫外LED作为一种长寿命、小体积、可替代传统汞紫外灯的绿色光源正日益受到国内外的广泛关注。但目前GaN基紫外LED的发......
近年来，由于蓝光和绿光氮化镓基发光二极管（GaN基LED）具有发光效率高、节能、寿命长、尺寸小和污染小，极大地激起了人们将之应用于背光......
能源与环境是当今人类社会可持续发展必须面对的两大难题。固体氧化物燃料电池(SOFC)是一种高效清洁的能量转换装置,在节能减排的......
GaN基发光二极管(LED)具有节能、高效、体积小、寿命长等优点,已经被广泛用于全彩色显示、固体照明、光存储、通讯等领域,具有很大......
电导调制效应的存在使得IGBT器件具有非常低的导通压降和导通损耗,但这也使得其关断损耗较大,因此导通压降和关断损耗之间的矛盾关......
GaN作为新一代半导体材料,具有禁带宽度大、热导率高、载流子迁移率高、发光效率高等优点,是理想的短波长LED器件的制备材料。GaN......
氮化镓(GaN)材料具有直接宽禁带,化学性质稳定,熔点高(2300℃)等优点,在固态照明、太阳能电池、杀菌、激光器等方面有着广泛的应用......
硅衬底GaN基LED因具有制造成本低、封装工艺简单、器件可靠性高等优点,一直吸引着广大学者的研究热情。从2004年第一支实用水平蓝......
GaN基LED凭借其可控的全色光谱能隙以及优良的物理化学性能,已逐步成为新一代绿色照明光源。为了获得真正意义上的高品质白光LED照......
许多金属氧化物材料具有独特的物理化学性质,在光电转换、微电子器件等诸多领域有着广泛的应用前景。氧化锌(ZnO)和二氧化钒(V02)......
本文利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法系统地研究了p-AlGaN层掺杂机理及优化设计生长.明确了生长温度、压力及TMAl的流量对A......
在LED中引入了Al0.1Ga0.9N-Al x Ga1-x N-Al0.1Ga0.9N多层电子阻挡层,并讨论结构中插入的势阱深度(即中间层Al x Ga1-x N的Al组分&......
采用数值分析方法进行模拟分析InGaN/GaN混合多量子阱中移去p-AlGaN电子阻挡层对GaN基双蓝光波长发光二极管（LED）性能的影响。结果发......
设计了具有高量子效率的发光二极管(LED)芯片。LED的辐射复合速率对于器件的电子泄露,发光功率,在大电流下的效率下降等问题具有重......
目前,有机电致发光器件(organiclight-emitting devices,OLED)已经引起了广大研究者与产业人浓厚的兴趣。然而,蓝色有机电致发光器......
为了探究具有双层电子阻挡层设计的GaN基黄光LED中首层电子阻挡层(EBL-1)Al组分对内量子效率的影响以及其中载流子注入的主要物理......
从载流子输运机制的角度，分析了影响GaN基激光器中有源区电流溢出的因素，对AlGaN电子阻挡层中Al组分和p型掺杂水平进行了优化．结果表......
