电子阻挡层相关论文
AlGaN基深紫外发光二极管（DUV-LED）是一种新型固态光源。当前的研究课题大多只关注器件纵向结构而忽略横向优化对DUV-LED性能提升的......
学位
随着半导体材料与器件的不断研究与发展,AlGaN基紫外发光二极管（light-emitting diode,LED）应用越来越广泛,在一些新领域也逐渐得到......
近年来,GaN基绿光激光二极管的光电性能取得了很大的改善,在激光打印、激光测量、激光显示、激光照明以及通信等领域有着重要的应......
利用MOCVD生长了具有组分渐变的电子阻挡层(GEBL)的绿光LED,并研究了其对LED发光效率的影响。结果表明，相对于传统LED来说，GEBL LED......
尝试采用三种方式来平衡载流子的浓度, 以提高量子点发光二极管(QLED)的外量子效率等性能：在正装结构(ITO/HIL/HTL/QD/ETL/EIL/金属......
设计了具有高量子效率的发光二极管(LED)芯片。通过采用Mg掺杂的AlInN-InGaN-AlInN作为LED的电子阻挡层,减小由极化引起的静电场,......
在自加热效应下,对有、无AlGaInN电子阻挡层的两种发光二极管芯片进行了数值研究系统分析了芯片能带结构,载流子输运与分布特性,内......
近年来,基于高Al组分AlGaN及其低维量子结构的深紫外(DUV)短波长发光二极管(LED)引起了极大地关注,在日常照明、杀菌消毒、智能家......
固体氧化物燃料电池（Solid Oxide Fuel Cells,SOFCs）是一种将燃料的化学能直接转化为电能的能量转化装置。铈基电解质是SOFCs最有商......
量子点(Quantum Dots, QDs)因其具有吸收范围宽、发射范围窄、色彩对比度饱和度高等优势，已经在光电转化、照明显示以及生物医药等......
紫外LED具有高耐用性、低能量损耗、体积小、无危险材料、性能优异等诸多优点，使得该技术成为各个领域和行业极具吸引力的选择方案......
近年来，伴随全球能源危机与环境恶化，传统的三代照明光源已无法满足需求，人类必须探索高效；环保；节能的四代照明光源，以白光LED为主的半......
GaN作为第三代半导体材料的代表，具有直接带隙、禁带宽度大(室温下3.39eV)，热导率高、电子饱和迁移率高，发光效率高，耐高温和抗辐射等......
GaN基半导体近年来被大量研究，因其宽的禁带宽度（且为直接带隙）、高稳定性、高热导率等优异的材料特性，被广泛地应用于固态照明、半导......
能源与环境是当今人类社会可持续发展必须面对的两大难题。固体氧化物燃料电池(SOFC)是一种高效清洁的能量转换装置，在节能减排的能......
随着半导体固态照明技术的不断发展，发光二极管(Light-Emitting Diodes，LEDs)成为当前电子信息工业应用最为广泛的有源器件，而且高亮......
Ⅲ族氮化物是直接带隙半导体，其带隙范围可以从近紫外、可见光到近红外连续可调，是制备光电器件的理想材料。目前GaN基的LED和蓝光LD......
GaN基蓝、紫光激光器是迄今为止半导体激光器中波长最短的可见光激光器，是高密度光存储系统中最有希望的光源。它可以将现有光存储......
Ⅲ族氮化物作为新一代半导体材料，具有宽直接带隙、高电子漂移率、高热导率、耐高温、抗腐蚀、抗辐射等优点，适合制作高频、高功率、......
本论文主要研究了紫光LED中量子垒和电子阻挡层的设计，主要结论如下: 1.首先利用SiLENSe软件模拟分析了AlGaN量子垒在紫光LED结......
通过设计包括不同Al含量的单层p-AlGaN电子阻挡层与10对p-AlGaN/GaN超晶格电子阻挡层的三种紫光LED结构,利用APSYS软件理论模拟研......
以CBP作为母体材料,绿色磷光染料Ir(ppy)3作为敏化剂,以荧光染料rubrene作为受主,制备了结构为ITO/2T-NATA(25 nm)/NPBX(25-d nm)/......
期刊
为了降低2 μm InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器的阈值电流并获得良好的温度特性,在p型波导层及限制层之间引入AlGaAsSb电子阻挡层.......
通过对GaN基LED的量子阱垒层进行重新设计,提高了发光二极管（LED）器件的量子效率.并通过理论计算从量子阱的内建电场、载流子分布、......
以CBP作为母体材料，绿色磷光染料Ir（ppy）3作为敏化剂，以荧光染料rubrene作为受主，制备了结构为ITO／2T-NATA（25nm）／NPBX（25-dnm）／CBP：5％Ir（ppy）3：0．5%R......
ＴＰＤ：ＣｕＰｃ ＬＢ薄膜作为电子阻挡层被引入到ＩＴＯ／ＴＰＤ：ＣｕＰｃ／Ａｌｇ：ＤＣＭ１／Ａｌ电致发光器件中的ＰＰＶ和Ａｌｑ：ＤＣＭ１层之间，不含任何ＴＰＤ：ＣｕＰｃ层或仅含单层ＴＰＤ：ＣｕＰｃ且在较高直流电压（≥８Ｖ）驱动下的器件，它们的发射光谱同时......
为了降低2μm InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器的阈值电流并获得良好的温度特性,在p型波导层及限制层之间引入AlGaAsSb电子阻挡层。......
利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底表面制备了带有p-AlGaN电子阻挡层的400 nm高性能紫光InGaN多量子阱发光二极管。制作......
AlGaN基深紫外半导体激光器有着巨大的应用市场,例如化学分析,医疗诊断设备,生物试剂检测系统,高密度数据存储,水净化和材料处理等......
采用有机金属化学气相沉积法,在1μm氮化铝/蓝宝石衬底上制备了不同结构的AlGaN基多量子阱结构的深紫外发光二极管,其禁带边发光峰......
第三代直接带隙宽禁带半导体氧化锌（ZnO）,因其具有大的禁带宽度（3.37 eV）,高的激子束缚能（60meV）,资源丰富,无毒无污染,而且容易被湿法刻......
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AlxGa1-xN是直接带隙宽禁带半导体材料,化学性质稳定,耐高温,抗辐射,波长在200～365 nm范围内连续可调,在空气净化、杀菌与消毒、半......
GaN基LED因为其耐潮、耐震、寿命长、节能环保和色度饱满等优势,在绿色照明和微电子等领域中的应用越来越普遍,其市场日益受到研究......
相比传统半导体硅,III族氮化物半导体氮化镓(GaN)具有宽禁带和直接带隙等优势,特别适合制备高效短波长发光器件,如蓝色发光二极管(......
近年来，GaN基紫外LED作为一种长寿命、小体积、可替代传统汞紫外灯的绿色光源正日益受到国内外的广泛关注。但目前GaN基紫外LED的发......
近年来，由于蓝光和绿光氮化镓基发光二极管（GaN基LED）具有发光效率高、节能、寿命长、尺寸小和污染小，极大地激起了人们将之应用于背光......
GaN基发光二极管(LED)具有节能、高效、体积小、寿命长等优点,已经被广泛用于全彩色显示、固体照明、光存储、通讯等领域,具有很大......
电导调制效应的存在使得IGBT器件具有非常低的导通压降和导通损耗,但这也使得其关断损耗较大,因此导通压降和关断损耗之间的矛盾关......
G GaN基材料是Si、GaAs之后的第三代半导体材料,具有禁带宽度大、电子迁移率高等特性,相关的合金材料属于直接带隙半导体,材料发光......
GaN作为新一代半导体材料,具有禁带宽度大、热导率高、载流子迁移率高、发光效率高等优点,是理想的短波长LED器件的制备材料。GaN......
氮化镓(GaN)材料具有直接宽禁带,化学性质稳定,熔点高(2300℃)等优点,在固态照明、太阳能电池、杀菌、激光器等方面有着广泛的应用......
硅衬底GaN基LED因具有制造成本低、封装工艺简单、器件可靠性高等优点,一直吸引着广大学者的研究热情。从2004年第一支实用水平蓝......
GaN基LED凭借其可控的全色光谱能隙以及优良的物理化学性能,已逐步成为新一代绿色照明光源。为了获得真正意义上的高品质白光LED照......
许多金属氧化物材料具有独特的物理化学性质,在光电转换、微电子器件等诸多领域有着广泛的应用前景。氧化锌(ZnO)和二氧化钒(V02)......
本文利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法系统地研究了p-AlGaN层掺杂机理及优化设计生长.明确了生长温度、压力及TMAl的流量对A......
在LED中引入了Al0.1Ga0.9N-Al x Ga1-x N-Al0.1Ga0.9N多层电子阻挡层,并讨论结构中插入的势阱深度(即中间层Al x Ga1-x N的Al组分&......
