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采用超高真空化学气相淀积系统,以高纯Si2H6和GeH4作为生长气源,用低温缓冲层技术在Si(001)衬底上成功生长出厚的纯Ge外延层.对Si......
报道了一种采用锗硅异质外延制备硅量子线的新方法。...
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