介绍了新型CMOS-SE ED灵巧像素结构原理及相关的MCM倒装焊混合集成技术,采用厚光致抗蚀剂作掩模,通过磁控溅射和真空蒸发相结合,研......

通过感应熔炼和冷拔变形制备了Cu-16Fe-2Cr原位复合材料, 将铜基体选择腐蚀后提取出了纤维, 采用SEM和TEM观察分析了纤维相结构.在......

通过对衡阳钢管厂２０钢水平连铸坯的（Ｐ），（Ｓ），Ｍｎ／Ｓ及其对应的中间裂纹统计，得出：（Ｐ），（Ｓ），Ｍｎ／Ｓ对中间裂纹有较大影响，随（Ｐ）的增加，中间裂纹的敏感性增大，随（Ｓ）的增加，敏感性增......

基于GaAsPHEMT（赝配高电子迁移率晶体管）材料结构的设计，材料生长过程中增加了一层腐蚀终止层。经过大量的实验和腐蚀液体系的选取，完......

用H3PO4：H2O2系和HCl系腐蚀液实现了InP对InGaAs、InGaAs对InP的湿法化学选择腐蚀，并将其应用于InP/InGaAsHBT制作，发射极面积为10μm......