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具有隐埋电镀热沉结构用于高性能MMIC的大功率GaAs FET
报道了一种称作“先进的SIVFET”的FET结构(先进的源区通孔FET)。“SIVFET”(源区通孔FET)是一种新型的FET,其每个源电极都通过通孔与40μm厚的背面电镀热沉金属相连......
期刊
集成电路
源区通孔
砷化镓
FET
电镀热沉
隐埋
云南西部某地隐埋石英脉型锡矿找矿方法试验及其效果
本文系采用土让地球化学方法,在浮土广泛掩盖地区寻找锡石石英脉型锡矿进行试验,经验证效果较好.可作为寻找隐坦的锡石石英脉型矿......
期刊
土让地球化学
隐埋
锡矿
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