磁性隧道结相关论文
磁性隧道结经过结构优化和性能提升已成功应用于磁存储、磁传感、磁逻辑等多种自旋电子学器件中。磁传感是利用磁性隧道结的自由层......
随着智能化和万物互联浪潮到来,对神经网络芯片需求呈现指数型增长。近年来,由于脉冲神经网络（Spiking Neuron Network,SNN）贴近于脑......
磁性隧道结以电子的自旋属性为基础,利用隧穿磁电阻效应和自旋转移力矩效应实现其微波功能。作为一类自旋电子学器件,它继承了自旋......
MgO势垒磁性隧道结是自旋电子学的核心元器件之一,因其在室温下巨大的磁电阻效应得以应用于硬盘磁读头、磁随机存储器及磁传感器等......
基于自旋转移力矩的磁性隧道结（STT-MTJ）在非易失性磁性随机存取存储器中具有潜在的应用价值。与具有面内磁晶各向异性（IMA）的隧道结相......
信息和社交网络时代,由于高性能计算机和移动数字设备的出现,产生和存储了大量的信息,而传统的存储技术已愈发难以满足人们日益增......
磁性多层膜中的层间交换耦合作用在GMR与TMR领域有着非常重要的应用。如果可以使用电场来控制磁性多层膜的层间交换耦合作用,进而......
学位
人们对于更大的硬盘驱动器的存储容量的日益增长的需求,推动了人们对这方面的关注和广泛的研究。在上个世纪末研究者发现了巨磁阻（G......
在自旋电子学领域中,由于磁性隧道结有潜力成为下一代磁性随机存储器（MRAM）的基本元件,因此是近些年的研究热点。传统磁性隧道结的势......
电子的电荷属性以及自旋属性,是人类信息技术产业发展革新之根本。电荷属性运用到人类生产生活中,诞生了传统电子学,使信息产业和......
柔性自旋电子器件结合了柔性电子与自旋电子的优势,不仅具备柔性电子便携可弯曲的特点,还拥有自旋电子所拥有的低功耗、高效率的特......
回顾从首款商用磁随机存取存储器(MRAM)芯片面世以来国际上对MRAM芯片辐射效应的研究;总结MRAM总剂量电离效应和单粒子效应辐照试......
近年来,随着纳米技术的应用和发展,自旋极化电子输运问题已经成为凝聚态物理研究中的重要领域之一.本论文对其中关于磁性隧道结(MT......
由于对信息存取容量的要求日益增加,磁性存储器件的存储密度正以每年60%的速度递增。目前商用HDD最高存储密度已达4Gbit/in2,未来......
在当今信息技术快速发展的时代,如何快速准确的获取信息是首先要解决的问题。传感器作为信息获取与转换的重要手段之一,始终是人们......
本文结合磁性隧道结（FM/I/FM,其中FM 为铁磁层,I 为中间绝缘层）高的低场隧穿磁电阻效应和掺杂稀土锰氧化物Re1-xTxMnO3（Re=La、Pr 等......
随着科学技术的发展,科研工作者对“电子”的研究也在不断深入。对于电子的自由度之一——电荷的深入研究,带动了传统微电子学的发......
我们利用先进的密度泛函结合非平衡格林函数技术研究了磁性和非磁性隧道结及器件的量子输运性质。在Fe/MgO/Fe 磁性隧道结中，我们发......
自旋转移力矩磁随机存储器（STT-MRAM，SpinTransferTorqueMRAM）是以磁性隧道结（MTJ，MagneticTunnelJunction）为存储介质，以自旋转移矩效应（S......
自旋角动量转移磁随机存储器（Spin Torque Transfer Magnetic Random Access Memory，STT-MRAM）是一种新型非易失性存储器，它具有存储密......
铁磁/反铁磁交换偏置薄膜结构是巨磁电阻自旋阀和磁性隧道结中的重要组件。本论文系统研究了Pt层厚度对IrMn/Co60Fe40/[Pt/Co90Fe1......
磁性隧道结由于具有高的隧穿磁电阻，目前已经成为磁性传感器、磁性随机存储器等的基本单元。探索磁性隧道结的输运特性和噪声信号以......
1996年“自旋转移矩”效应的理论预言和2000年的首次实验证实被认为是继“巨磁电阻效应”之后的又一里程碑式的新发现。当足够大小......
近年来，一种由两层铁磁金属(FM)夹一薄的绝缘层(Ⅰ)所构成的磁性隧道结，即FM/NI/FM型磁性隧道结，因其具有较高的隧穿磁电阻(TMR)和较......
早在七十年代，为了得到自旋相关电子态的信息，已经开始了自旋极化隧穿的学习。
近几年，透过铁磁体/绝缘层/铁磁体的自旋极化隧穿......
自从2000年Dietl等人预测Mn掺杂的GaN等半导体具有室温铁磁性(RTFM)以后，许多科研工作致力于研究过渡金属掺杂的半导体材料的磁性。......
利用高分辨电子显微术和电子全息方法研究了Co基磁性隧道结退火热处理前后的微观结构及相应势垒层结构的变化.研究结果表明,退火处......
采用磁控溅射,紫外线光刻和离子束刻蚀制备了La2/3Ca1/3MnO3lEu2CuO4/La2/3Ca1/3MnO3磁性隧道结.通过对获得的磁性隧道结的Ⅰ-Ⅴ特......
利用基于密度泛函理论和非平衡态格林函数的第一性原理计算研究了CoFe/MgO/CoFe磁性隧道结的隧穿磁电阻效应。给出了该隧道结隧穿......
1 项目概述rn1.1 项目背景rn近年来,作为凝聚态物理领域一个新兴的研究方向--自旋电子学,已持续20 年成为凝聚态物理的一个焦点研......
磁随机存取存储器属于新兴学科《自旋电子学》研究领域，也隶属于半导体和微电子学与磁学的前沿交叉学科领域。研发基于电子自旋内禀......
用等离子体氧化形成绝缘层的方法,重复性地制备出了Ni80Fe20/Al2O3/Co磁性隧道结.样品的隧道磁电阻(TMR)比值在室温下最高可达6.0%......
最近的一项理论估计指出,NM/FI/FI/NM 型双自旋过滤隧道结（DSFJ,此处NM和FI分别表示非磁电极和铁磁绝缘体或半导体）,在零偏压下可能......
采用离子束溅射和磁控溅射技术制备了Ni80 Fe20/Al2O3/Ni80 Fe20磁性隧道结.控制样品上下铁磁层的厚度,研究了不同铁磁层厚度对样......
就如何在 4英寸热氧化硅衬底上沉积高质量的磁性隧道结纳米多层薄膜材料和如何利用光刻方法微加工制备均匀性较好的磁性隧道结方面......
通过XPS等微观分析手段证实了磁性隧道结在高温退火后,反铁磁层中的Mn元素扩散到被钉扎铁磁层及势垒层中,破坏了势垒层/铁磁层界面......
在基于磁性隧道结(Magnetic Tunneling Junction,MTJ)的磁随机存储器(Magnetoresistantive Random Access Memory,MRAM)中利用通过......
在Slonczewski自由电子模型的基础上 ,提出了一个可用于处理具有任意形状势垒的磁性隧道结中磁电子输运的简单方法 ,并以三种常见......
利用金属掩模法优化了制备磁性隧道结的实验和工艺条件,金属掩模的狭缝宽度为100μm.采用4nm厚的Co75Fe25为铁磁电极和1·0或0·8n......
研究发现在磁隧道结的反铁磁层和被钉扎铁磁层之间插入一层纳米氧化层,可以使磁隧道结的退火温度增加了40℃,即明显地提高了磁隧道......
瑞典皇家科学院2007年10月3日宣布，将该年诺贝尔物理学奖授予法国科学家费尔（A．Fen）及德国科学家格林贝格（P．Grünberg），以表彰他们在1......
利用磁控溅射方法在（100）SrTiO3单晶衬底上制备得到了三明治结构La0．7Sr0．3MnO3／La0．96Sr0．04MnO3／La0．7Sr0．3MnO3磁性隧道结。非线性的I-V曲......
旋转电子学寻求的是如何利用电子的旋转,除了它们的电荷之外,还可以制作计算、通信和数据存储用的特大功能器件.......
采用分子束外延技术在GaAs（001）-4×6衬底上外延出Fe／MgO／Fe（001）单晶磁性隧道结．原位表面磁光Kerr效应（SMOKE）测量表明：当外磁场沿[1 10......
最近中国科学院物理研究所韩秀峰课题组研制了一种新型的磁随机存取存储器(MRAM)原理型器件,这种新型磁随机存取存储器摈弃了传统......
基于Slonczewski理论模型和矩阵方法研究了由栅控制中间层电势高度的磁性隧道结的隧穿磁阻效应。数值计算了中间层势垒为0~3 V以及......
针对由1个半导体隔开的2个铁磁性金属电极构成的磁性隧道结,考虑中间层形成双δ势垒,在近自由电子模型的基础上,计算了零偏压下隧......
