0.13m互补型金属氧化物半导体工艺相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

0.13m互补型金属氧化物半导体工艺相关论文

基于0.13μm CMOS工艺的无源RFID标签模拟前端电路设计

设计了13.56 MHz频段无源射频识别电子标签的模拟前端电路,采用常规0.13μm含EEPROM的CMOS工艺,设计了一种箝位电路,能够实现采用......

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射频识别模拟前端电路 13.56MHz 箝位电路 0.13m互补型金属氧化物半导体工艺 RFID analog front-end interface 13.

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