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MBE生长的InAs1—xSbx外延层Eg和x测量
MBE生长的外延三元化合物材料InAs1-xSbx/AlSb/GaAs 等是研制红外光通讯探测器的重要材料,准确检测这些半导体的禁带宽度Eg和组份x......
期刊
2D半导体
自由载流子面密度
禁带宽度
MBE
外延生长
红外光通讯探测器
三元化合物
InAs1-xSbx
测量
铟砷锑化合物
Q2D semiconduct
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