异质外延生长相关论文
Using two-step method InP epilayers were grown on GaAs(100) substrates by low-pressure metalorganic chemical vapor depos......
异质外延生长是薄膜生长中的重要研究课题,从原子水平上认识异质薄膜生长的物理本质,对于改进制备工艺和提高薄膜质量都有着重要的......
由于ＧａＮ薄膜在光电子学方面具有潜在的巨大应用前景，目前国际上对其进行了广泛的研究，但这些应用的实现有赖于生长出高质量的ＧａＮ单晶薄膜，以......
介绍了新近研制出的一种电阻加热式CVD/LPCVD SiC专用制备系统,并利用该系统以SiH4、C2H4和H2作为反应气体在直径为50mm的Si(100)......
研究发展了一种Si衬底上低温外延生长3C-SiC的方法.采用LPCVD生长系统,以SiH4和C2H4为气源,在超低压(30Pa)、低温(900℃)的条件下,......
在当今Si基光电子研究中,SiGe材料系自组织Ge量子点是最有希望对Si材料运用能带工程实现人工改性的途径之一.Ge在Si上4.2%的晶格失......
Si衬底上SiC的异质外延生长深受关注,为了了解Si衬底上SiC的成核及长大过程,采用LPCVD方法在Si(001)衬底上生长出了方形3C-SiC岛,......
<正> 光电子集成和光子集成(OEIC和PIC)技术是当今的热门技术,它们借鉴并发展了电集成的许多概念和方法。先从分离的光学、电子器......
能源、材料、信息科学是新技术革命的先导和支柱。作为特殊形态材料的固体功能薄膜材料,在纳米电子学、微电子学、光电子学、磁电......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
利用激光脉冲法在LaAlO3衬底上沉积制备LaNiO3薄膜作为底电极并外延生长（100）Pb（Zr0.52Ti0.48）O3铁电薄膜,系统研究了生长温度对PZT外......
氮化铝(AlN)具有超宽禁带宽度(6.2 eV)、高热导率(340 W/(m·℃))、高击穿场强(11.7 MV/cm)、良好的紫外透过率、高化学和热稳......
利用高温反应烧结在不同结构碳材料表面热蒸发进行二氧化硅（SiO2）晶体的外延生长。采用X-射线衍射仪（XRD）、扫描电镜（SEM）和电子能谱仪（ED......
高质量的异质结构是半导体器件性能的保证,也一直是外延生长中的挑战。其难度根源在于外延薄膜和衬底之间晶格常数、晶体对称性及......
GaN宽禁带半导体材料以其自身一系列的优良特性,在高温、高速、高频、高功率、辐射、蓝紫发光及探测等领域有广泛的发展。铌酸锂(L......
学位
氢能作为一种清洁能源备受人类的青睐。为了推广氢能的使用,有效的制取氢气、安全且经济的储存氢气、灵敏迅速的氢气监测成为亟待......
以不同结构的PAN基炭纤维为碳源、ⅣB-ⅤB过渡金属单质为金属源,在熔盐介质中反应制备了炭纤维表面碳化物涂层,研究了不同金属单质......
SiC是一种宽带隙半导体材料,具有带隙宽、临界击穿场强高、饱和电子漂移速度大等优点,是高温、高频、高功率半导体器件的首选材料,......
