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6英寸SiC相关论文
6英寸碳化硅厚晶锭生长热场数值模拟
高昂的SiC衬底是制约器件成本的关键因素,开发大直径、厚晶锭SiC生长技术有望降低SiC衬底成本。目前,虽然SiC晶体制备实现了 4英寸......
学位
6英寸SiC
热场模拟
厚晶锭
二次加料
热应力
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