808nm半导体激光器相关论文
研究了高功率808nm量子阱脊型波导结构含铝半导体激光器在空气中解理时不同镀膜方法对输出激光功率的影响,讨论了半导体激光器的灾......
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期刊
ZnO作为一种宽禁带的化合物半导体材料而言,因为具有稳定的化学性能和电学、光学性质,其禁带宽度在室温下为3.37eV,没有毒害的副作......
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