APCVD法相关论文
TiO2/ITO复合材料作为纳米TiO2的半导体复合体系中的一种,不仅具有纳米TiO2化学稳定性高、光敏、无毒无污染的化学特性,同时兼具IT......
在660℃下以SiH54-NH3-CO2作为反应气体利用常压CVD(APCVD)设备沉积得到了氧氮玻璃薄膜,此温度比文献物APCVD法低200℃以上,有效地降低了沉积温度,实验发现NH3中水汽对沉积反......
以单丁基三氯化锡(MBTC)和SbCl3为反应原料,采用常压化学气相沉积法(APCVD法)在不同的基板温度下制备Sb掺杂SnO2薄膜,用XRD、SEM表......