AlGaInAsInP材料相关硕士博士期刊学术论文

本文报道了采用AlGaInAs/InP材料体系制作10Gbit/s直接调制应变多量子阱DFB激光器.采用的是沟道聚酰亚胺填充倒台脊形波导结构,该......