Al N在III族氮化物半导体中具有较大的直接带隙,室温下约为6.2e V,是重要的蓝光和紫外发光材料。Al N材料还具有热导率高、电阻率......

采用两步熔铝氮化法成功地制备出了AlN纳米线.首先,用含氮等离子体电弧法制得Al+AlN混合纳米粉.然后,再将Al+AlN混合纳米粉在750～85......

利用金刚石对顶砧（DAC）技术和显微Raman光谱原位测量技术,在0～33.1GPa压力范围对AlN纳米线进行了高压相变研究。在24.4GPa附近,A1（LO）振......

AlN禁带宽高达6.2ev,具有高的热导率、优异的化学稳定性、高的介电击强度、良好的电子迁移率等优点,广泛应用在基板和封装器件、光......

采用金属铝粉与氮气在一定温度下直接反应的方法,利用金属镁粉与NH4Cl双重辅助氮化的优越性,制备出性能较好的氮化铝粉体纳米材料,......