采用纳米压痕方法,研究了AlN/spphire模板上的高Al组分AlxGa1-xN薄膜的力学性质,特别是弹性-塑性转变行为.研究表明,AlxGa1-xN薄膜......

报道了在蓝宝石衬底上采用金属有机物化学气相淀积技术成功地生长出了GaN基紫外探测器阵列外延材料，生长的高A1组分AlxGa1-xN(x≥0．4......

采用纳米压痕方法，研究了AlN/spphire模板上的高Al组分AlxGa1-xN薄膜的力学性质，特别是弹性-塑性转变行为.研究表明，AlxGa1-xN薄膜的......

采用深紫外光致发光技术测量AlxGa1-xN半导体薄膜的禁带宽度,结合软件模拟计算AlxGa1-xN薄膜的弯曲因子b,测定了AlxGa1-xN薄膜中的......