采用深紫外光致发光技术测量AlxGa1-xN半导体异质外延膜的禁带宽度,结合Material Studio软件中的CASTEP模块模拟计算AlxGa1-xN异质......

用 ZXF—02型氮吸附仪和压汞技术分别测定了 B108中变催化剂在未还原态,经无硫及500ppm硫化氢中毒动力学试验等三种情形的 BET 表......

针对通过熔模铸造法制得的开孔泡沫金属进行研究分析。其模型可以近似简化为十四面体模型，之后根据其结构特点，并引入弯曲因子k，推导......

讨论了计算In Ga As Sb四元合金材料禁带宽度常用的Glisson方法和Moon方法,比较了它们的计算结果.将两者化成相同形式下的等价公式......

采用深紫外光致发光技术测量AlxGa1-xN半导体薄膜的禁带宽度,结合软件模拟计算AlxGa1-xN薄膜的弯曲因子b,测定了AlxGa1-xN薄膜中的......