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As_2^+注入硅的辐射损伤和退火行为研究
本文研究了500keV As_2~+和250keV As~+注入单晶硅引起的辐射损伤及其退火行为.结果表明,As_2~+注入比As~+注入在硅中引入更大的辐......
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低能As2^+注入与快速退火形成n^+—p超浅结的研究
本文研究了As2+注入硅的辐射损伤及退火行为。以能量为10~30keV、剂量为1×1013~5×1015cm-2的As2+注入p型〈100〉硅形成浅......
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