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超宽禁带半导体材料金刚石在热导率、载流子迁移率和击穿场强等方面表现出优异的性质，在功率电子学领域具有广阔的应用前景。实现p......
石英是自然界中最常见、色彩最丰富的矿物之一,当含杂质元素Ti、Al、Fe、Mn等时会产生不同的颜色,这与晶格的结构位点或间隙位置掺......
从晶圆到芯片的整个流程包含了许多步骤,其中,对晶圆的掺杂决定了半导体器件的用途和性能,这一步骤对于芯片的制造至关重要。掺杂......
第三代半导体材料氮化镓（GaN）,由于其具有宽禁带、高电子饱和速率等优越特性,是目前研究的热点材料。GaN基器件的应用和推广,有赖于G......
紫锂辉石（kunzite）属于锂辉石（spodumene）的粉色品种,深受宝石爱好者喜爱。因其在常光下呈粉色,经γ射线、阴极射线等高能源辐照后变成......
ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族宽禁带（3.37eV）化合物半导体材料。具有较高的激子束缚能（室温下为60meV）和光增益系数320cm-1,是一种理想的短......
熔石英（非晶SiO2）硬度高,热膨胀系数低,耐高温,化学稳定性好,透紫外光和红外光。在惯性约束聚变（ICF）领域的大型高功率激光装置中,熔石......
激光器是20世纪最伟大的发明之一,具有发射出的激光质量纯净、光谱稳定、方向准直、能量密度大的优异特点。光流控技术在微流控系......
本文对70 nm超薄多晶硅的掺杂工艺、钝化性能及光伏特性进行了研究.确定了70 nm超薄多晶硅的掺杂工艺,研究表明当离子注入剂量为3.......
离子束生物技术是一种新型的诱变技术,它是通过将低能重离子注入生物体内,来研究其生物学效应和作用机理,并将它用于遗传育种和基......
为了模拟托卡马克装置中氢同位素等离子体与第一壁的相互作用过程,自主设计了辉光注入及热脱附实验平台,开展了氘辉光放电对钨样品......
离子注入作为一种独特的材料改性技术手段被广泛应用于当今的工业生产和科学研究领域,根据各种不同目的所进行的元素掺杂和注入处......
采用离子注入对半导体器件的进行掺杂,能实现精确掺杂,在半导体器件制程过程中起着举足轻重的作用.文章主要探讨相同注入剂量,不同......
光波导是引导光在其结构中传输的一种介质,也称做介质光波导。根据不同界面间的折射率不同会发生全反射这一原理,光波导把光限制在......
随着船舶及海洋工业的发展,大型船舶等海洋运输平台对传动系统的性能要求愈发严苛,齿轮作为船舶传动系统的关键部件,其表面强化层......
十字轴是联结火箭箭体与发动机的传力组件,控制火箭在空中的飞行姿态,其常用材料是TC4钛合金和M50钢。由于钛合金摩擦磨损性能差,......
目的骨科内植物置入人体后,术中或宿主血行播散来的细菌在材料表面容易定植,并大量增殖,形成细菌生物被膜立体结构,再通过细菌播散......
深空探测和红外天文技术需要高性能的长波红外探测器,而我国在这方面相对落后。阻挡杂质带（Blocked Impurity Band,BIB）探测器具有响......
科技发展的本质是人类不断探索和认识世界的过程。红外天文探测器是人类探索外太空世界的有力工具,其重要性不言而喻。阻挡杂质带（B......
氧化锌(ZnO)是Ⅱ-Ⅵ族宽禁带的半导体材料,在室温下的带隙约为3.3 eV,激子束缚能高达60meV。ZnO具有良好的光电性、透明导电性、气......
采用20Cr2Ni4A合金钢制造的装甲车重载齿轮因其特殊服役环境,存在寿命低与可靠性差的问题。本文探索了稀土真空渗碳和离子注入的复......
随着科学技术的不断进步,微光夜视器件逐渐向数字化方向发展。电子轰击CMOS（EBCMOS）作为一种新型的数字化微光夜视成像器件,它具有设......
渗碳技术是在改善齿轮和轴承等部件表面硬度、耐磨性和疲劳性能中应用最为广泛且效果良好的表面强化技术之一,其强化过程需在高温......
具有高度自动控制功能的离子注入机利用机械手完成晶片输送工作,可以加快输送速度,避免人为出错及减少微粒污染.自动定位技术常常......
离子注入已被证明是改善蓝宝石光学和机械表面性能的一种可靠方法。本文选择不同能量和剂量的镁/钛离子注入蓝宝石。利用TRIM (Tra......
提出一种改善n型横向双扩散金属氧化物半导体(NLDMOS)器件性能的工艺方法。该方法基于某公司0.18μm标准工艺流程, 通过在NLDMOS的......
利用离子注入技术制备了不同Zn 离子剂量掺杂的铌酸锂样品，研究了Zn 离子注入对LiNbO3 晶体红外光谱特性的影响。实验结果显示Zn离......
Cr ion implantations in glass with the different doses of D=1.493×10...
为实现InP基单片集成光电子器件和系统,对InGaAsP/InGaAsP分别限制异质结多量子阱激光器结构展开量子阱混杂(QWI)技术研究。在不同......
本文用卢瑟福背散射和光吸收技术研究了高剂量Ag离子注入SiO_2玻璃以及退火后的状况.吸收光谱测量表明,注入的Ag离子聚集形成了胶......
ZnO是一种在短波长光电器件领域有巨大应用价值的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,离子注入是常用的半导体掺杂技术,文章综述了国内外近年......
用离子注入结合离子交换技术形成了 KTiOPO4 平面光波导，研究了离子注入对离子交换波导结构的影响.使用棱镜耦合法测量了波导特性，结......
以木聚糖酶产生菌黑曲霉为试验菌株,比较了低能N+离子、紫外线和60Co-γ射线对黑曲霉的剂量存活效应和诱变效果。结果发现:N+离子......
用BF2+分子离子注入n型硅,由于B的有效注入能量减少,可以得到B的浅注入分布,B分布的沟道效应也明显降低。BF2+注入硅能形成非晶层,......
本文阐述了把BF2离子团作为一种受主杂质在器件中的应用。认为在半导体器件工艺中,BF2离子团不仅可以代替B离子掺杂,而且由于损伤......
本文研究了Ｍｏ离子注入Ａｌ２Ｏ３陶瓷表面残余应力及其对断裂韧性的影响，并分析了产生影响的原因．研究表明离子注入技术是改善陶瓷材料表面敏感性......
本文用椭圆偏振光谱法研究了低温（７７Ｋ）、中等能量（１４７ｋｅＶ）、剂量分别为３×１０１３及４×１０１３ｉｏｎｓ／ｃｍ２的ＢＦ２＋分子离子注人Ｓｉ的损伤及退火效应．根据样品椭圆偏振参数与Ｃ－Ｓｉ的比较确定......
本文利用卢瑟福背散射及沟道（ＲＢＳ／Ｃ）技术，二次离子质谱（ＳＩＭＳ）技术等研究了ＭｅＶＳｉ离子束轰击对ＢＦ２注入Ｓｉ样品特性的影响．结果表明，退火后在ＢＦ２注入形成的ＰＮ结结区内仍......
采用GaAs离子注入工艺，研制了GaAsX／Ku波段单片功率放大器。放大器末级栅宽76mm，频率9—13GHz，增益大于9．5dB，输出功率3W（f＝11GHz时达4W），效......
报道了用叠加能量Ｓｉ＋、Ｎ＋共注入ＳｉＯ２薄膜研究硅基发光材料。Ｓｉ＋、Ｎ＋先后注入ＳｉＯ２薄膜，并在衬底中重叠。样品退火后在紫外光激发下，可以观察到很强的紫外......
Axcelis技术公司推出可用于大流量注入及亚65nm器件制造的OptimaHD离子注入机。这种新型低能大剂量离子注入系统可提供200eV至80ke......
研究了可取代多晶硅扩散掺杂的离子注入掺杂工艺,通过两种掺杂方式对CCD栅介质损伤、多晶硅接触电阻及均匀性等关键参数影响的对比......
通过采用低能N+注入对干酪乳杆菌116-a进行诱变,以筛选得到高自溶的干酪乳酸菌突变体,并采用实时荧光定量PCR检测N-乙酰胞壁质酶和......
