利用Sol-Gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备出Bi4Ti3O12和Bi3.25La0.75Ti3O12薄膜,研究了La掺杂对Bi4Ti3O12薄膜的晶体结构、铁电性......

采用MOCVD工艺在Ts=440℃条件下制备组分Bi/Ti=1.44的非晶态薄膜,经过快速退火处理,制备高度择优取向的Bi4Ti3O12 铁电薄膜,在Ts=4......

采用溶胶-凝胶工艺制备了Bi4-xLaxTi3O12和Bi4Ti3-yNbyO12铁电薄膜,研究了La、Nb掺杂对薄膜介电性能和C-V特性的影响。研究表明,在......

本文研究了生长温度与退火温度对钛酸铋薄膜晶相形成的影响,在适当的组分下,550℃低温生长了α轴取向的 Bi4Ti3O12单晶体薄膜。高......

随着微电子技术与集成电路技术的迅猛发展,人们需要将具有大块铁电性能的薄膜材料利用现代复合技术将不同功能的微尺度材料复合到......

Bi系层状钙钛矿氧化物材料以其优良的铁电性能受到广泛的关注,被认为是最有可能应用到商用铁电存储器的材料。其中Bi4Ti3O12(BIT)......