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Bowing效应相关论文
ICP体硅深刻蚀中侧壁形貌控制的研究
对影响电感耦合等离子(ICP)刻蚀侧壁形貌的工艺参数进行了分析,通过改变刻蚀/钝化周期、平板电极功率、钝化气体C4F8流量以及重叠......
期刊
微机电系统
电感耦合等离子(ICP)刻蚀
深反应离子刻蚀(DRIE)
侧壁形貌
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ICP刻蚀硅形貌控制研究
硅的刻蚀形貌控制是MEMS器件加工中的关键技术之一,形貌控制是硅表面刻蚀和钝化反应取得平衡的结果,任何影响刻蚀和钝化反应的因素......
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