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利用射频磁控溅射制备了ZnO:Al/p-Si接触,并对其进行C-V和I-V特性的77~350 K变温测量.并对未热退火和800℃热退火两种样品的测量结......
研究了6H-SiC埋沟MOSFET器件的电容-电压解析模型,分析了埋沟MOSFET各种工作模式下的电容与电压之间的关系。在建模过程中考虑了Si......
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