Cl掺杂相关论文
在酸性溶液中利用恒电位沉积法在导电玻璃(ITO)上沉积Cu_2O薄膜,并以KCl为添加剂对其进行掺杂,采用场发射扫描电子显微镜(FESEM)和......
采用电化学沉积法在酸性电解液中制备n型Cu_2O薄膜,并对其进行Cl掺杂,制备Cu_2O-Cl结构。然后利用连续离子吸附法在样品薄膜上复合......
钙钛矿太阳能电池(PSCs),光电转换效率目前达到23.7%,成为目前世界上太阳能电池研究领域关注的焦点。电子传输层(ESLs)具有接受和......
学位
硫化铜(CuS)是一种典型的p型半导体材料,由于其低成本、高光热转化率的特性,在热电、锂电及光催化等领域有着广泛的应用。目前,关......
用密度泛函理论B3LYP方法,在6-31G基组水平下,选用GAUSSIAN03程序,对聚噻吩未掺杂体系及其掺杂体系(包含6个噻吩环)进行了计算。引......
为了探究Cl杂质对Cu2O体系的影响机理,采用基于密度泛函理论的第一性原理,通过Cl原子代替O原子建立同等条件下不同浓度的Cu2O1-xCl......
采用布里奇曼法(Bridgman)制备了Cl掺杂的n型SnSe单晶热电材料,研究了Cl的掺杂量对SnSe1-xClx(x = 0, 0.02, 0.025, 0.03, 0.04)样......
SnS由低毒、廉价、高丰度的元素组成,在热电研究领域受到广泛关注。采用机械合金化（MA）结合放电等离子烧结（SPS）工艺制备了n型SnS1-xCl......
采用密度泛函理论B3LYP方法,在6-31G基组水平下,对聚噻吩未掺杂体系及其掺杂体系进行了计算,根据几何、前线轨道和原子电荷的计算......
