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Cu-In合金硒化法制备CuInSe2薄膜
采用三电极体系恒电压电沉积法制备了Cu-In薄膜,经硒化退火生成CulnSe2薄膜。采用循环伏安法研究了电沉积Cu-In的循环伏安特性,确定......
期刊
电沉积
Cu—In
CUINSE2
硒化
electrodposition
Cu-Zn
CulnSe2
selenization
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