Czochralski方法相关论文
利用有限元法对勾形磁场环境下硅单品Czochralski生长时炉内的传递过程进行了全局数值模拟,磁场强度范围为(0-2.0)T。结果表明:勾形磁场......
先把KF和MgF2以1∶1摩尔比混合后在Ar气体环境中650℃的恒温下烧结成KMgF3化合物。然后仍在Ar气体环境中用Czochralski方法生长了K......