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C—Si系原料相关论文
埋炭条件下C—Si系材料高温物理化学变化过程
以炭黑和单质硅为原料压制成试样,在埋炭条件下,分别于1200,1300,1350,1400,1450,1500℃下高温烧结,获得不同温度点合成样品。采用XRD分析......
期刊
C—Si系原料
埋炭
反应过程
C-Si system material
immerged carbon powders
reaction process
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