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分子束外延生长3英寸HgCdTe晶片
报道了用分子束外延的方法制备3英寸HgCdTe薄膜的研究结果,获得的HgCdTe外延材料均匀良好,在直径70mm圆内,组份标准偏差率为1.2%,对应8......
期刊
分子束外延
HGCDTE
缺陷
焦平面阵列
汞镉碲化合物
生长条件
薄膜
MBE
HgCdTe
uniformity
defect
FPA.
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