FeRAM相关论文
FeRAM铁电存储器是一种高性能的存储器,它有着RAM快速读写的特性和ROM的非易失的特性,具有低功耗,操作速度快、抗辐射性能强的特点......
近年来,集成铁电学(integrated ferroelectrics)迅速发展.铁电体是一种特殊的电介质,在不存在外场的情况下,它仍然可以保持一个自......
FeRAM(Ferro-electric RandomAccess Memory,铁电随机存取存储器)是一种在断电时不会丢失内容的非易失存储器.不仅如此,与以往的非......
分析了MFIS FET的工作机理以及影响MFIS电容的存储窗口特性的因素,提出用存储窗口与铁电薄膜正、负矫顽电压的差值来评价存储窗口......
随着集成铁电工艺的迅速发展和铁电电容的广泛应用,铁电电容模型的缺乏已成为制约基于铁电电容电路设计和优化的瓶颈.文中提出的非......
研究了sol-gel掺锡氧化铟(ITO)溶胶在SiO2/Si衬底和光学玻璃衬底上的成膜及结晶性能,并与CVD法生长的ITO薄膜作了对比.结论是,sol-......
提出了一种全新的基于铁电存储器FeRAM编程的非挥发FPGA思想(概念),它主要是针对基于SRAM的FPGA的掉电挥发性问题提出的.文章在采......
目前，业界对两大类全新的非易失性存储器进行了可行性调研，其中一类是基于无机材料的存储器技术，如铁电存储器（FeRAM）、磁阻存储器（MRAM）......
日益增长的信息技术对更高集成度、高速、低功耗集成电路的需求，驱使晶体管的尺寸越来越小，随之而来的问题是作为MOS栅氧化物和DRAM......
