GaN(0001)表面相关论文
采用基于密度泛函理论(DFT)的广义梯度近似(GGA)的平面波超软赝势方法(PWP)分别对GaN和Cu吸附在GaN(0001)2×2表面atop、H3、T4不......
基于第一性原理计算,研究了实验中常用的金属(Ni、Ru和Au)等三种原子对GaN(0001)表面光学性质的调控。结果表明,电子从吸附原子中......
建立了GaN（0001）2×2表面吸附模型,采用基于DFT动力学赝势方法,对TiO2分子的吸附进行了理论计算.研究了TiO2分子在GaN（0001）表面的......
建立了SrO/GaN（0001）2×2表面吸附模型,采用基于第一性原理的密度泛函理论平面波超软赝势方法对SrO分子的吸附生长进行了计算,详......
GaN基半导体在短波长发光二极管、激光器和紫外探测器以及高温微电子器件等方面显示出广阔的应用前景，已成为人们研究的热点。广泛......
学位
氮化镓(GaN)材料作为第三代半导体材料的典型代表,越来越受到人们的广泛关注。纤锌矿相GaN是一种宽禁带半导体材料,它的导热率高、......
