GaN基电子器件相关论文
GaN基异质结场效应晶体管(HFETs)由于其禁带宽度大、临界击穿电场强、饱和电子漂移速度高、化学性质稳定以及由极化效应产生的二维......
GaN基宽禁带半导体异质结构具有非常强的极化效应、高饱和电子漂移速度、高击穿场强、高于室温的居里转变温度、和较强的自旋轨道......
