通过对GaP1-xNx混晶的瞬态发光特性的研究,揭示了在低组分下N杂质从NN;对束缚激子的特性逐渐向高组分下形成GaP1-xNx混晶的杂质带......

通过GaP1-xNx(x=0.05%～3.1%)混晶的低温光致发光(PL)谱,探讨了N在不同组分GaNxP1-x混晶的发光特性中所起的作用.在低组分(x=0.05%～0.......