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GeSn纳米晶相关论文
绝缘衬底上锡诱导锗低温晶化制备锗锡纳米晶薄膜的研究
由Ⅳ族元素Ge、Sn组成的GeSn合金材料近年来受到了广泛关注,理论研究表明,当Sn组分高于6.3%时,GeSn合金可以转变为直接带隙材料,而......
学位
GeSn纳米晶
绝缘衬底
低温晶化
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