绝缘衬底相关论文
近年来,在绝缘衬底表面生长石墨烯已经成为研究者关注的重点,出现许多新的策略,也在Si O 2/Si、蓝宝石、GaN、玻璃等多种绝缘衬底......
用注氧隔离法在单晶硅衬底中形成SiO2 隔离层,制备成SOI衬底,用快速化学汽相沉积(RTCVD)法在此衬底上制备硅薄膜,热扩散形成PN 结制备太......
锗锡是硅基光电子领域最有潜力的材料之一.锗锡不仅可以通过锡组分来调节带隙和能带结构,实现0~0.8eV的带隙可调和间接带隙与直接带......
由Ⅳ族元素Ge、Sn组成的GeSn合金材料近年来受到了广泛关注,理论研究表明,当Sn组分高于6.3%时,GeSn合金可以转变为直接带隙材料,而......
石墨烯由于其优异的物理和化学性质,在材料和纳米器件等领域受到了极大的关注.但通过转移法转移的石墨烯在石墨烯基纳米器件上会引......
石墨烯中电子具有线性的色散关系和常温下非常高的迁移率,可以用来替代硅基材料成为下一代半导体行业的新希望[1].现在大面积石墨......
该文设计了一套适用于不同工艺的背栅效应测试版图,分别用离子注入隔离工艺和半绝缘衬底自隔离工艺在非掺杂的半绝缘GaAs衬底上制备......
现代光子技术的发展对器件的集成性,片上器件密度、功能、性能等要求越来越高,这使得单芯片上光波导之间交叉次数大大增加。同时,SOI(S......
随着信息技术的发展,互联网流量增长的速度令人惊叹,同时也对数据传输速率带来了更大的需求。因此,100 Gbps的以太网已经被提出作为下......
学位
本论文包含了两部分工作,一是探索了一种在绝缘衬底上直接生长超净石墨烯的方法。CVD方法生长石墨烯后,持续的升温融化、蒸发铜箔,石......
作为第一个被发现的单原子层材料,石墨烯在科研领域引起了人们研究二维材料的热潮。化学气相淀积法石墨烯的生长可控和机理研究是本......
石墨烯是由单层碳原子紧密堆积构成的二维蜂巢状结构,具有优异的电学、热学和力学性能,在纳米电子器件、单分子器件、储氢、光电器件......
石墨烯是一种只有单原子层厚度的二维碳材料,它通过碳原子以sp2轨道杂化键合,形成蜂窝状的二维平面结构。石墨烯拥有许多优异的化学......
如何在绝缘衬底上形成大面积高质量的石墨烯还是个难题。所以,不论是探索制备石墨烯的新方法,还是寻找合适的生长石墨烯的基底材料......
美国加利福尼亚工学院M.Yust,N.Bar-Chaim,A.Yariv等人研制了一种适于光纤通信系统和高速电路转换的单片集成光学中继器。该中继器是将......
绝缘衬底上再结晶硅膜的微结构研究刘安生,邵贝羚,李永洪,张鹏飞,钱佩信(北京有色金属研究总院,北京100088)(清华大学微电子所,北京100084)绝缘衬底上的硅......
石墨烯是仅由碳原子以sp2杂化键合形成的二维蜂窝状原子晶体材料,它表现出独特的电子学特性,并且具有优异的导电性、导热性、透明......
石墨烯,是一种二维平面材料,碳原子间以sp2杂化相结合,并以蜂窝状结构排列,构成了平面内的σ键和垂直于平面的π键。这一独特的结......
石墨烯自从2004年问世之后,由于独特的结构和优异的性能很快便成为了碳素家族的明星而引起了各界的关注。石墨烯独特的电学性能使其......
利用化学气相沉积法,在Si衬底、蓝宝石衬底和SiC衬底上生长石墨烯材料,研究石墨烯的表面形貌、缺陷、晶体质量和电学特性。原子力......